[实用新型]一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片

说明书

本实用新型公开了一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，包括：发光外延层；设置于发光外延层的发光面一侧、且位于P型区的P型电极，及设置于发光外延层的发光面一侧、且位于N型区的N型电极；覆盖P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖N型电极的侧面的第二粘附层；覆盖发光外延层的发光面一侧裸露面、第一粘附层的侧面和第二粘附层的侧面的钝化层。本实用新型提供的技术方案，减小P型电极和N型电极与外界环境接触的面积，改善发光二极管芯片的电极的电迁移现象，提高发光二极管芯片的使用寿命；通过第一粘附层和第二粘附层分别将电极和钝化层之间粘附固定，提高了电极与钝化层之间的粘附能力，减小钝化层自电极侧面脱落的几率。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，更为具体的说，涉及一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(英文为Light Emitting Diode，简称LED)是半导体二极管的一种，它能将电能转化为光能，发出黄、绿、蓝等各种颜色的可见光及红外和紫外不可见光。与小白炽灯泡及氖灯相比，它具有工作电压和电流低、可靠性高、寿命长且可方便调节发光亮度等优点。

现有显屏模组所使用的小尺寸蓝绿LED芯片，其主要包括衬底、N型半导体、有源区、P型半导体，透明导电层、钝化层、P型电极和N型电极。由于显屏模组在使用时，模组内的LED芯片会长期处于逆偏压(通常为-5V)条件下。组成P型电极和N型电极的金属层容易在逆偏压下被空气中的水汽水解析出，使得LED芯片的电极发生电迁移现象，进而使得使电极脱落，导致死灯情况出现。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，通过第一粘附层、第二粘附层和钝化层对应将P型电极和N型电极的侧面覆盖进行保护，减小P型电极和N型电极与外界环境接触的面积，进而改善发光二极管芯片的电极的电迁移现象，提高发光二极管芯片的使用寿命；此外，通过第一粘附层和第二粘附层分别将电极和钝化层之间粘附固定，提高了电极与钝化层之间的粘附能力，减小钝化层自电极侧面脱落的几率。

为实现上述目的，本实用新型提供的技术方案如下：

一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，包括：

发光外延层，所述发光外延层的发光面包括P型区和N型区；

设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述P型区的P型电极，及设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述N型区的N型电极；

覆盖所述P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖所述N型电极的侧面的第二粘附层；

以及，覆盖所述发光外延层的发光面一侧裸露面、所述第一粘附层的侧面和所述第二粘附层的侧面的钝化层。

可选的，所述第一粘附层和/或所述第二粘附层为金属粘附层或TiN层。

可选的，所述金属粘附层为Ti层或Al层。

可选的，所述第一粘附层和所述第二粘附层的厚度范围均为5埃-500埃，包括端点值。

可选的，所述第一粘附层和所述第二粘附层的侧面均为粗化面。

可选的，所述钝化层为SiO₂钝化层、SiN钝化层或Al₂O₃钝化层。

可选的，所述钝化层的厚度范围为500埃-5000埃，包括端点值。

可选的，所述发光外延层包括：

衬底；

位于所述衬底一侧表面的N型半导体层；