[实用新型]4-8GHz宽带低噪声放大器

说明书

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为4‑8GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。本实用新型，电路结构简单，有效降低了整体电流，合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数。

技术领域

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，具体为4-8GHz宽带低噪声放大器。

背景技术

传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供4-8GHz宽带低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述4-8GHz宽带低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

4-8GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包含三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源极接去耦电容，第二级三极管栅极通过电感、大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路连接电感后与第二级三极管栅极相连；第一级三极管源极加入了直流反馈电阻；第二级三极管漏极连接负反馈电路与其栅极电感连接。

优选的，负反馈电路为反馈电阻串接电容。

优选的，第一级三极管与第二级三极管栅宽相同均采用300um。

优选的，第一级放大器选用窄栅宽三极管，第二级放大器采用窄栅宽三极管。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：有效降低了整体电流，合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路。

本器件具有低电流、低噪声的优点。器件采用单电源供电。电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数。

附图说明

图1为本实用新型电路结构示意图；

图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；

图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；

图4为本实用新型电路的输入反射系数测试图；

图5为本实用新型电路的输出反射系数测试图；

图6为本实用新型电路的输出1dB压缩点测试图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1，本实用新型提供技术方案：