[实用新型]一种可程控的高精度低噪声OLED屏电源生成装置

权利要求书

1.一种可程控的高精度低噪声OLED屏电源生成装置，其特征在于：包括一单片机（MUC），该单片机（MUC）通过串口通讯端连接一第一连接器（CON1），用于与外部主机通讯；

所述单片机（MUC）的第一I²C通讯端连接第一模数转换模块（DAC1）的输入端，所述第一模数转换模块（DAC1）的输出端连接一直流转直流模块（DC/DC）的第一输入端,所述直流转直流模块（DC/DC）的输出端连接第一金氧半场效晶体管（MOSFET1）的第一输入端,所述第一金氧半场效晶体管（MOSFET1）的输出端连接第二金氧半场效晶体管（MOSFET2）的第一输入端；所述第二金氧半场效晶体管（MOSFET2）的第一输出端作为电源输出连接一第二连接器（CON2）的输入端，第二输出端连接一第二运算放大器（OPA2）的第一输入端，所述第二连接器（CON2）的输出端连接第二运算放大器（OPA2）的第二输入端；

所述单片机（MUC）的第二I²C通讯端连接第二模数转换模块（DAC2）的输入端，所述第二模数转换模块（DAC2）的输出端分成两路，一路连接一第一运算放大器（OPA1）的第一输入端，所述第一运算放大器（OPA1）的输出端连接所述第一金氧半场效晶体管（MOSFET1）的第二输入端，所述第二运算放大器（OPA2）的输出端连接第一运算放大器（OPA1）的第二输入端；

所述单片机（MUC）的第一输入输出端连接所述直流转直流模块（DC/DC）的第二输入端，所述直流转直流模块（DC/DC）的第三输入端连接电源输入（POWER IN）；

所述单片机（MUC）的第二输入输出端分成两路，第一路连接第三金氧半场效晶体管（MOSFET3）的输入端，第二路连接第二金氧半场效晶体管（MOSFET2）的第二输入端。

2.根据权利要求1所述的可程控的高精度低噪声OLED屏电源生成装置，其特征在于：所述单片机（MUC）通过一对外通讯的通用异步收发传输器（UART）双向连接所述第一连接器（CON1）。

3.根据权利要求1所述的可程控的高精度低噪声OLED屏电源生成装置，其特征在于：所述第二金氧半场效晶体管（MOSFET2）和第三金氧半场效晶体管（MOSFET3）的源极接地。

4.根据权利要求1所述的可程控的高精度低噪声OLED屏电源生成装置，其特征在于：所述单片机（MUC）的模数转换引脚端连接一模数转换模块（ADC）的第一输入端，所述第二金氧半场效晶体管（MOSFET2）的第三输出端连接所述模数转换模块（ADC）的第二输入端。