[实用新型]包括终止结构的电子设备

权利要求书

1.一种包括终止结构的电子设备，所述终止结构包括：

衬底，所述衬底包括第一导电类型的半导体材料；

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体层，其中所述第一半导体层覆盖在所述衬底上面并且具有主表面；

第一沟槽，所述第一沟槽延伸穿过所述第一半导体层的厚度的大部分；以及

所述第二导电类型的主体延伸区，所述主体延伸区与所述第一半导体层的所述主表面相邻并且与所述第一沟槽间隔开。

2.根据权利要求1所述的电子设备，还包括所述第一导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述第一半导体层的所述主表面相邻并且设置在所述第一沟槽与所述主体延伸区之间。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中：

所述第一掺杂区邻接所述第一沟槽，并且

所述电子设备还包括：

第二沟槽，所述第二沟槽延伸穿过所述第一半导体层的至少一部分并且与所述第一沟槽和所述第一掺杂区间隔开；和

所述第一导电类型的第二掺杂区，其中所述第二掺杂区设置在所述主体延伸区与所述第二沟槽之间并且与所述主体延伸区和所述第二沟槽间隔开。

4.根据权利要求1所述的电子设备，还包括所述第一导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区沿着所述第一沟槽的大部分延伸，其中所述第一掺杂区与所述第一半导体层的所述主表面间隔开。

5.根据权利要求4所述的电子设备，还包括所述第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述衬底与所述第一半导体层之间，其中所述第二半导体层具有与所述第一掺杂区和所述衬底每一者相比更低的掺杂物浓度。

6.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

所述第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述衬底与所述第一半导体层之间；

第二沟槽，所述第二沟槽延伸穿过所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度的大部分并且与所述第一沟槽间隔开；

所述第一导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述第一半导体层的所述主表面相邻，设置在所述第一沟槽与所述主体延伸区之间，并且邻接所述第一沟槽；以及

所述第一导电类型的第二掺杂区，其中所述第二掺杂区与所述第一半导体层的所述主表面间隔开，沿着所述第一沟槽的大部分延伸，并且沿着所述第一掺杂区与所述衬底之间的导电路径,

其中：

所述第一掺杂区和所述第二掺杂区每一者具有与所述第一半导体层和所述第二半导体层每一者相比更高的掺杂物浓度；并且

所述第一掺杂区和所述第二掺杂区每一者具有与所述衬底相比更低的掺杂物浓度。

7.根据权利要求6所述的电子设备，还包括所述第一导电类型的第三掺杂区，其中所述第三掺杂区设置在所述主体延伸区与所述第二沟槽之间并且与所述主体延伸区和所述第二沟槽间隔开，并且其中所述第三掺杂区电浮动，具有与所述第一半导体层和所述第二半导体层每一者相比更高的掺杂物浓度，并且具有与所述衬底相比更低的掺杂物浓度。

8.一种包括终止结构的电子设备，所述终止结构包括：

衬底，所述衬底包括第一导电类型的半导体材料；

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体层，其中所述第一半导体层覆盖在所述衬底上面并且具有主表面；

第一沟槽，所述第一沟槽延伸穿过所述第一半导体层的厚度的大部分；以及

所述第一导电类型的第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述第一半导体层的所述主表面相邻并且邻接所述第一沟槽。

9.根据权利要求8所述的电子设备，还包括：

所述第一导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述衬底与所述第一半导体层之间；

所述第一导电类型的第二掺杂区，所述第二掺杂区沿着所述第一沟槽的大部分延伸，其中所述第二掺杂区具有与所述第一半导体层和所述第二半导体层每一者相比更高的掺杂物浓度；以及

有源区，其中所述电子设备被配置成使得漏极-源极雪崩击穿在所述有源区内比在所述终止结构内更低。

10.一种包括终止结构的电子设备，所述终止结构包括：

衬底，所述衬底包括第一导电类型的半导体材料；

与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一半导体层，其中所述第一半导体层覆盖在所述衬底上面并且具有主表面；

第一沟槽，所述第一沟槽延伸穿过所述第一半导体层的厚度的第一大部分；

第二沟槽，所述第二沟槽延伸穿过所述第一半导体层的所述厚度的第二大部分并且与所述第一沟槽间隔开；以及

所述第一导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述第一半导体层的所述主表面相邻，与所述第一沟槽和所述第二沟槽间隔开，并且电浮动。