[实用新型]一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件

权利要求书

1.一种基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件，其特征在于：所述选通器件从下至上依次包括底电极层、隧穿层、转换层和顶电极层，其中：所述底电极层为FTO、ITO、ZTO或TiN材料中的任一种，所述隧穿层为氧化锆薄膜材料，所述转换层为氧化铌薄膜材料，所述顶电极层为Pt薄膜材料；所述底电极层的厚度为50～300nm，所述隧穿层的厚度为1～5nm，所述转换层的厚度为30～100nm，所述顶电极层的厚度为50～300nm。

2.根据权利要求1所述的基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件，其特征在于：所述的转换层原料为五氧化二铌。

3.根据权利要求1或2所述的基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件，其特征在于：所述底电极层、隧穿层、转换层和顶电极层的形状为矩形，边长为100nm～100μm。

4.根据权利要求3所述的基于氧化锆隧穿层的氧化铌选通器件，其特征在于：所述底电极层、隧穿层、转换层和顶电极层的形状为正方形，边长为0.4μm～4μm。