[实用新型]一种新型TRIPLE RESURF LDMOS

说明书

本实用新型公开了一种新型TRIPLE RESURF LDMOS，涉及开关管技术领域，包括：重掺杂衬底和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层上设有漂移区，所述漂移区上从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层、第二埋层和第三埋层，所述第一埋层、第二埋层和第三埋层的上方还设有氧化槽，所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层和第三埋层均填充有第一掺杂类型，所述漂移区填充有第二掺杂类型。本实用新型提高了击穿电压，从而提高了TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及开关管技术领域，特别涉及一种新型TRIPLE RESURF LDMOS。

背景技术

LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体，Lateral double-diffused MOStransistors)器件是一种良好的半导体，满足了高耐压，实现了功率控制等方面的要求。LDMOS是DMOS的一种，LDMOS作为一种近似于传统的场效应晶体管(FET)器件的一种场效应晶体器件，主要包括在半导体衬底上形成沟道区域所分隔的源漏区域，并依次于沟道区域上方形成栅电极。

现有的TRIPLE RESURF LDMOS结构中，将一定浓度的埋层处于漂移区中，并将漂移区分为上下两个部分，所以在纵方向上漂移区由埋层和其上部的漂移区，埋层和其下部的漂移区以及漂移区和外延层构成的三个PN结来辅助耗尽，在提高击穿电压的同时可以提高漂移区的浓度，降低导通电阻。

但上述TRIPLE RESURF LDMOS结构中，若埋层的浓度过高，就会使漏端附近表面附加电场增加，易使漏端发生击穿；若埋层的浓度过低，就会使导通电阻增大且辅助耗尽也会受到影响，从而导致TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性降低。

发明内容

有鉴于此，本实用新型提供一种新型TRIPLE RESURF LDMOS，其提高了击穿电压，从而提高了TRIPLE RESURF LDMOS的可靠性。

本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：

本实用新型的一种新型TRIPLE RESURF LDMOS，包括：重掺杂衬底和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层上设有漂移区，所述漂移区上从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层、第二埋层和第三埋层，所述第一埋层、第二埋层和第三埋层的上方还设有氧化槽，所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层和第三埋层均填充有第一掺杂类型，所述漂移区填充有第二掺杂类型。

进一步，所述轻掺杂外延层上还设有沟道区和重掺杂区，所述重掺杂区设置在所述沟道区的左侧，所述沟道区上还设有填充有所述第二掺杂类型的源区，所述源区设置在所述重掺杂区的右侧，且所述源区上设有源极金属区；所述漂移区上还设有填充有第二掺杂类型的漏区，所述漏区设置在所述氧化槽的右侧，且所述漏区上设有漏极金属区；所述沟道区上方设有栅区和绝缘介质层，所述氧化槽的上端与所述绝缘介质层接触。

进一步，所述氧化槽周围覆盖有U型通道，所述绝缘介质层内设有偏置预设电位的电极，所述U型通道填充有第二掺杂类型。

进一步，所述第一埋层、第二埋层和第三埋层的长度之和小于等于所述漂移区的长度。

进一步，所述氧化槽的长度小于等于所述漂移区的长度，所述氧化槽的宽度小于等于所述漂移区的宽度。

进一步，所述第一埋层的第一掺杂类型的浓度小于所述漂移区的第二掺杂类型的浓度；所述U型通道的第二掺杂类型的浓度大于所述漂移区的第二掺杂类型的浓度。

进一步，所述第一掺杂类型包括P型，所述第二掺杂类型包括N型。

进一步，所述第一掺杂类型包括N型，所述第二掺杂类型包括P型。

本实用新型的一种新型TRIPLE RESURF LDMOS具有以下有益效果：