[实用新型]一种刻蚀设备有效
| 申请号: | 201820066532.9 | 申请日: | 2018-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN207743209U | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
| 发明(设计)人: | 黄雷 | 申请(专利权)人: | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄珩 |
| 地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 线路板 晶圆 刻蚀设备 刻蚀 印制 承载装置 刻蚀装置 清洗装置 窄缝 清洗 预处理 本实用新型 可左右移动 清洗操作 清洗液泵 水池效应 同步联动 同一工位 线路蚀刻 向上喷射 连贯性 刻蚀液 清洗液 蚀刻液 下表面 有效地 滞留 承载 保证 | ||
本实用新型涉及了一种刻蚀设备,其特征在于,包括:机架,在该机架上设置有承载装置,用来承载晶圆或印制线路板。在该承载装置的下方设置有刻蚀装置和清洗装置,两者均可左右移动,且同步联动。刻蚀装置包括刻蚀刀及刻蚀液泵;清洗装置包括清洗刀及清洗液泵。刻蚀刀和清洗刀完全掠过晶圆或印制线路板的下表面,且在两者顶部上分别设置有第一窄缝、第二窄缝。这样一来,清洗液由下向上喷射,能有效地缩短蚀刻液在晶圆或印制线路板预处理面的滞留时间,尽可能地减少了水池效应,从而保证了线路蚀刻的精度及准确性。再者,借助该刻蚀设备可在同一工位上先后对晶圆或印制线路板进行刻蚀和清洗操作,保证工序的连贯性。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,特别是涉及一种刻蚀设备。
背景技术
随着集成电路制造业的快速发展,晶圆或印制线路板的尺寸在不断缩小。在对晶圆或印制电路板线路刻蚀或表面自然氧化层去除的过程中需要对其进行长时间的刻蚀和清洗工艺。在现有技术中,先使用刻蚀液对晶圆或印制电路板进行刻蚀,刻蚀到位后,再将其放入到清洗液水槽中进行清洗。上述工艺流程复杂,生产效率偏低,额外增加了转运工序,且线路刻蚀精度偏低。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题在于提供一种结构简单,晶圆或印制电路板表面处理效果较好,线路刻蚀精度高,且能在同一工位上同步实现刻蚀和清洗工艺的刻蚀设备。
为了解决上述技术问题,本实用新型涉及了一种刻蚀设备,其特征在于,包括:
机架;
在该机架上设置有承载装置,其用来承载晶圆或印制线路板;
在该承载装置的下方设置有刻蚀装置和清洗装置;
刻蚀装置和清洗装置均可左右移动,且同步联动;
刻蚀装置包括刻蚀刀;清洗装置包括清洗刀;
刻蚀装置还包括刻蚀液泵,其用来为刻蚀刀提供一定压力的刻蚀液;
清洗装置还包括清洗液泵,其用来为清洗刀提供一定压力的清洗液;
刻蚀刀和清洗刀在左右移动过程中完全掠过晶圆或印制线路板的下表面,且在两者顶部上分别设置有第一窄缝、第二窄缝。
该刻蚀设备设置借助其上设置的同步联动的刻蚀装置和清洗装置在同一工位上先后对晶圆或印制电路板进行刻蚀和清洗操作,保证了工序的连贯性。再者,在处理过程中,晶圆或印制电路板固定不动,改变了传统将其浸入槽内进行刻蚀和清洗的方式,避免了交叉污染,更为重要的是,清洗液由下向上喷射,能有效地缩短蚀刻液在预处理面的滞留时间,尽可能地减少了水池效应,从而保证了线路蚀刻的精度及准确性。
作为本实用新型的进一步改进,刻蚀液泵与刻蚀液槽相连;在刻蚀液槽内设置有液体加热装置,其用来对刻蚀液进行加热。
通过液体加热装置对刻蚀液进行加热。在一定范围内,随着刻蚀液温度的升高,其内分子的动能也相应增大,能大大提高对晶圆或印制线路板的刻蚀速度。
作为本实用新型的进一步改进,该液体加热装置包括螺旋状电热丝,其平铺于所述蚀液槽的底部。
采用螺旋状电热丝进行加热,这样一来,加热装置的结构简单,便于实现,且电热丝自身具有成本低、加热速度快的优点。
作为本实用新型的进一步改进,刻蚀液槽内设置有搅拌装置,其用来对刻蚀液进行搅拌。
通过在刻蚀液槽内增加搅拌装置使得槽内各区域内的刻蚀液温升一致、均匀,且避免局部区域内发生过烧现象,影响其对晶圆或印制线路板的刻蚀效果。
作为本实用新型的进一步改进,该刻蚀设备还包括控制系统,其用来对刻蚀装置和清洗装置左右移动速度,刻蚀液泵和清洗液泵的启、闭及压力大小进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





