[实用新型]GaN基LED器件

说明书

一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种GaN基LED器件。

背景技术

GaN基LED具有节电、环保、体积小等诸多优点，目前已成为通用照明领域的主流。由于缺乏价廉的同质GaN衬底，GaN基LED通常采用蓝宝石、硅衬底等价格低廉的异质衬底，并且通常采用MOCVD技术进行GaN基LED外延结构的异质外延生产。为生长高质量的GaN基LED外延材料，需先在衬底材料上MOCVD低温生长GaN或A1N成核层，用于缓解异质衬底与GaN材料的晶格失配与热失配，然后在GaN或AlN成核层上采用MOCVD技术生长GaN基LED外延结构。近期，有相关报道证明[Improved output power of GaN-based ultraviolet light-emitting diodes with sputtered AlN nucleation layer，Journal ofCrystalGrowth，414，258-262，2015]，采用磁控溅射的A1N作为成核层，然后采用MOCVD技术制备GaN基LED可改善异质外延材料质量，提高LED发光效率，并大大提升LED的抗静电击穿(ESD)能力，因此，目前采用磁控溅射的AlN做GaN基LED的成核层获得广泛关注，并已投入批量化生产。

采用磁控溅射An成核层作为GaN基LED异质外延层面临的重要挑战是AlN成核层的晶体质量不够高，尤其是AlN成核层的X射线衍射XRD(10-12)晶面质量较差，从而降低后续MOCVD生长的GaN基外延材料质量，导致LED发光效率的降低。

发明内容

鉴于上述技术问题，本公开提供了一种GaN基LED器件，具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。

本发明提供一种GaN基LED器件，包括：

一衬底；

一成核层，其制作在衬底上；

一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；

一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；

一发光层，其制作在n型层上；

一p型层，其制作在发光层上。

从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：

1.本发明可以提高GaN基LED外延材料质量，进而提高GaN基LED的发光效率。

2.本发明提出具有制备时间短、成本低廉等特点，适合于大规模产业化生产。

附图说明

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：

图1为本发明结构的剖面示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。附图中未绘示或描述的实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。

请参阅图1所示，本发明提供一种GaN基LED器件，包括：