[实用新型]GaN基LED器件有效
| 申请号： | 201820059394.1 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN207765474U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张韵;赵璐;艾玉杰;孙莉莉;杨帅;程哲;张连;贾利芳;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 非掺杂GaN层 成核层 发光层 衬底 制备 器件性能 外延材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基LED器件，包括：
一衬底；
一成核层，其制作在衬底上；
一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；
一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；
一发光层，其制作在n型层上；
一p型层，其制作在发光层上。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌、氧化镁、硅、玻璃或金属。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述成核层的材料为AlN，厚度为1nm-500μm。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述非掺杂GaN层的材料为GaN、AlGaN或AlN，厚度为10nm-1μm。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述n型层的材料为GaN或AlGaN，厚度为10nm-1μm。
6.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述发光层为单量子阱或多量子阱，材料为InGaN/GaN或AlGaN/AlGaN或GaN/AlGaN，周期为1-20，其中，阱的厚度为2-10nm，垒的厚度2-15nm。
7.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述p型层的材料为GaN或AlGaN，厚度为10nm-1μm。
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