[实用新型]差共模集成电感及其散磁屏蔽结构有效

专利信息
申请号: 201820034978.3 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN207883461U 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 吴雁行;成伟;庞雷宇 申请(专利权)人: 深圳市雅玛西电子有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F27/34;H01F27/38;H01F17/04
代理公司: 深圳市中智立信知识产权代理有限公司 44427 代理人: 梁韬
地址: 518000 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 散磁 屏蔽 屏蔽结构 气隙 磁芯 本实用新型 集成电感 共模 磁性材料 辐射干扰 共模电感 整体包裹 主磁路 磁通 外漏 遮挡 分部 泄露 阻挡
【权利要求书】:

1.一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,包括磁芯,所述磁芯具有气隙,所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部,所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接,所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。

2.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述磁芯包括E形磁芯部(1)及与所述E形磁芯部(1)配合的I形磁芯部(2),所述散磁屏蔽部包括对应于所述磁芯的中柱气隙(3)位置处的侧板(4),所述侧板(4)与I形磁芯部(2)连接,且所述侧板(4)向所述E形磁芯部(1)的一侧延伸。

3.根据权利要求2所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述I形磁芯部(2)上平行地设置有两个所述侧板(4),所述中柱气隙(3)位于所述两个侧板(4)之间。

4.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述磁芯包括E形磁芯部(1)及与所述E形磁芯部(1)配合的I形磁芯部(2),所述散磁屏蔽部包括套管(5),所述套管(5)与I形磁芯部(2)连接,且所述磁芯的中柱气隙(3)容纳在所述套管(5)中。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述散磁屏蔽部还包括设置在所述I形磁芯部(2)的朝向所述E形磁芯部(1)一侧表面上的凹槽(6),所述E形磁芯部(1)的侧柱()的自由端位于所述凹槽(6)中。

6.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部A(7)和E形磁芯部B(8),所述E形磁芯部A(7)的中柱的端部形成有用作所述散磁屏蔽部的套管(5),所述E形磁芯部B(8)的中柱的自由端容纳在所述套管(5)中。

7.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所

述磁芯为“日”字形磁芯,所述散磁屏蔽部的截面呈U形,所述“日”字形磁芯的中柱气隙(3)所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。

8.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部(1)和U形磁芯部(9),所述散磁屏蔽部的截面呈U形,所述磁芯的中柱气隙(3)所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。

9.根据权利要求1所述的差共模集成电感的散磁屏蔽结构,其特征在于,所述散磁屏蔽部与所述磁芯是相互分立的部分、或所述散磁屏蔽部与所述磁芯是一体成型的。

10.一种差共模集成电感,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的散磁屏蔽结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市雅玛西电子有限公司,未经深圳市雅玛西电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820034978.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top