[发明专利]一种滤波器及基站有效

专利信息
申请号: 201811647402.5 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN111384538B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 郭继勇;石晶;李明康;袁本贵 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 冯艳莲
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 滤波器 基站
【说明书】:

本申请提供了一种滤波器及基站,该滤波器包括第一腔体、第二腔体、耦合连接的第一谐振件及第二谐振件;其中,第一谐振件与第一腔体连接,第二谐振件与第二腔体连接,且第一谐振件与第二谐振件之间可相对移动并锁定在设定位置;第一谐振件与第二谐振件在第一面的垂直投影有重叠区域;第一面为平行于第一谐振件及第二谐振件相对移动的方向的平面。在采用上述耦合结构中,第一谐振件与第二谐振件之间可以相对移动,第一谐振件与第二谐振件之间既有磁场耦合也有电场耦合,通过改变第一谐振件与第二谐振件相对位置,可以实现磁场耦合和电场耦合之间的切换,从而提高两个腔体之间的耦合效果,进而提高滤波器的效果。

技术领域

本申请涉及到通信技术领域,尤其涉及到一种滤波器及基站。

背景技术

在现有通信系统中所使用的介质波导(Dielectric Waveguide,DW)滤波器有小型化,高品质因数体积比,大功率等特点,然而在实际应用中,由于介质波导自身需要靠打磨进行调试,会导致使用介质波导的滤波器互调特性出现偏差,同时由于介质波导高次模频率距离传输主模较近,会造成使用介质波导的滤波器远端谐波较差。为了解决纯介质波导结构的滤波器较差的互调特性和较近的谐波,常采用介质腔和金属腔级联的方法,但是现有介质与金属耦合的结构,均只能实现单一的磁场耦合或者电场耦合,且打磨介质的方法只能对耦合系数单向调节,影响到介质金属混合型滤波器中腔体的排列布局和耦合调节效果。

发明内容

本申请提供了一种滤波器及基站,用以提高滤波器中腔室之间的耦合效果。

第一方面,提供了一种滤波器,该滤波器包括第一腔体及第二腔体,其中,第一腔体与第二腔体之间耦合连接,在具体耦合连接时,是通过设置的耦合结构来实现时,该耦合结构包括第一谐振件及第二谐振件,其中,所述第一谐振件、第二谐振件分别与所述第一腔体及第二腔体一一对应连接。在具体设置第一谐振件及第二谐振件时,所述第一谐振件与所述第二谐振件之间可相对移动并锁定在设定位置,其中,所述第一谐振件与所述第二谐振件在第一面的垂直投影有重叠区域;所述第一面为平行于所述第一谐振件及所述第二谐振件相对移动的方向的平面。并且所述第一谐振件与所述第二谐振件耦合连接。在采用上述耦合结构中,第一谐振件与第二谐振件之间可以相对移动,以改变第一谐振件与第二谐振件之间的相对面积,在耦合时,第一谐振件与第二谐振件之间既可以是磁场耦合也可以是电场耦合,通过改变第一谐振件与第二谐振件相对位置,可以实现磁场耦合和电场耦合之间的转换,从而在耦合时,可以根据需要选择两个腔体之间的耦合方式,从而提高两个腔体之间的耦合效果,进而提高滤波器的效果。

为了更进一步的改善耦合的效果,在具体设置滤波器时,该滤波器还包括设置在所述第一谐振件及所述第二谐振件之间的介质层;且所述介质层与所述第一谐振件固定连接,和/或所述介质层与所述第二谐振件固定连接。通过在第一谐振件与第二谐振件之间增加一层介质层,增强了第一谐振件与第二谐振件之间的介电常数,进一步的改善耦合的效果和稳定性。

在具体设置第一谐振件与第二谐振件时,可以采用不同的结构形式,如在一个具体的实施方案中,所述第一谐振件为金属套筒;所述第二谐振件为金属杆,且所述金属杆部分插入到所述金属套筒内。即通过金属套筒与金属杆之间的配合,实现了电场耦合和磁场耦合之间的切换,使得第一腔体和第二腔体之间的耦合类型可以灵活调整,从而提高了第一腔体与第二腔体之间的耦合效果。

对于金属套筒结构,即可采用一体结构,也可以采用分体结构。如在采用分体结构时,所述金属套筒包括多个金属片,且所述多个金属片间隔设置并围成所述金属套筒。在采用一体结构时,述第一谐振件为空心螺栓或空心螺钉。当然,金属套筒还可以采用一个筒体,然后筒体上设置多个开口等不同的结构形式。

在具体实现第一谐振件与第二谐振件之间可相对移动时,可以采用不同的结构形式,如所述第一谐振件与所述第一介质腔可移动连接,所述第二谐振件与所述第二介质腔固定连接;或,

所述第一谐振件与所述第一介质腔可移动连接,所述第二谐振件与所述第二介质腔可移动连接;或,

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