[发明专利]高频辐射体、多频阵列天线和基站

权利要求书

1.一种高频辐射体，其特征在于，所述高频辐射体为双极化辐射体，所述双极化辐射体包括正负45度的两个单极化辐射体；

所述单极化辐射体包括：辐射臂、巴伦、馈电电路、滤波器和地层；其中，所述辐射臂和所述巴伦电连接；所述馈电电路和所述巴伦分别设置于竖直放置的第一介质板的两个面上；所述地层设置于水平放置的第二介质板的向下的面上；所述第一介质板垂直设置于所述第二介质板之上；所述滤波器包括电容支路和电感支路，所述电感支路设置于所述第一介质板上与所述巴伦相同的一面上，且所述电感支路分别与所述巴伦和所述地层电连接，所述电容支路与所述地层耦合连接；

所述馈电电路用于给所述高频辐射体馈电；

所述滤波器用于减弱所述高频辐射体对低频辐射体的影响，所述低频辐射体的工作频段的最高频率小于所述高频辐射体的工作频段的最低频率；

其中，所述电感支路和所述电容支路均为金属枝节线。

2.根据权利要求1所述的高频辐射体，其特征在于，所述电容支路设置于所述第二介质板的向上的面上，且所述电容支路与所述巴伦电连接。

3.根据权利要求1所述的高频辐射体，其特征在于，所述电容支路设置于所述第一介质板上与所述巴伦相同的一面上，且所述电容支路与所述巴伦电连接。

4.根据权利要求1所述的高频辐射体，其特征在于，所述电容支路包括第一电容支路和第二电容支路，所述第一电容支路设置于所述第二介质板的向上的面上，所述第二电容支路设置于所述第一介质板上与所述巴伦相同的一面上，所述第二电容支路与所述巴伦电连接，所述第一电容支路与所述第二电容支路电连接。

5.根据权利要求1所述的高频辐射体，其特征在于，所述电容支路包括第一电容支路和第二电容支路，所述第一电容支路设置于所述第二介质板的向上的面上，所述第二电容支路设置于所述第一介质板上与所述巴伦相同的一面上，所述电感支路与所述第二电容支路电连接，所述第一电容支路与所述第二电容支路电连接。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的高频辐射体，其特征在于，以所述电感支路作为地层，由所述馈电电路和所述电感支路形成微带线结构；在所述第二介质板的向下的面上设置有同轴线，所述同轴线的外导体与所述地层电连接，所述同轴线的内导体与所述馈电电路电连接。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的高频辐射体，其特征在于，所述电感支路和所述电容支路用作所述电感支路的金属枝节线形成的轮廓比用作所述电容支路的金属枝节线形成的轮廓窄且长。

8.根据权利要求6所述的高频辐射体，其特征在于，所述电感支路和所述电容支路用作所述电感支路的金属枝节线形成的轮廓比用作所述电容支路的金属枝节线形成的轮廓窄且长。

9.一种多频阵列天线，其特征在于，包括：天线辐射体和天线反射板，所述天线辐射体设置于所述天线反射板上；其中，所述天线辐射体包括至少一个高频辐射体和至少一个低频辐射体，所述高频辐射体和所述低频辐射体在水平方向上交叉排列，所述低频辐射体的工作频段的最高频率小于所述高频辐射体的工作频段的最低频率；

所述高频辐射体采用权利要求1-8中任一项所述的高频辐射体。

10.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，所述高频辐射体和所述低频辐射体之间的距离小于或等于0.4λ，λ为所述低频辐射体的工作频段的中心频率对应的波长。

11.一种基站，其特征在于，所述基站包括多频阵列天线，所述多频阵列天线采用权利要求9或10所述的天线。