[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基于所需蚀刻量来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方。然后，基于所需蚀刻量以及所确定的设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方来确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。使具有与所确定的设定气氛氧浓度一致或接近的氧浓度的低氧气体流入至容纳基板的腔室内。进一步，将按照溶解氧浓度与所确定的设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的蚀刻液供给至保持为水平的基板的整个上表面。

相关申请的交叉引用

本申请主张基于2018年1月15日提出的日本专利申请2018-004531号的优先权，该申请的全部内容通过引用而引入于此。

背景技术

1.技术领域

本发明涉及一种对基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置。处理对象的基板例如包含半导体晶片、液晶显示装置和有机EL(电致发光，electroluminescence)显示装置等FPD(平板显示器，Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

2.相关技术描述

在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，使用对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等基板进行处理的基板处理装置。在JP 2015-153947A中公开了一种在气氛中的氧浓度低的状态下将溶解氧浓度低的处理液供给至基板的单片式基板处理装置。

发明内容

如JP2015-153947A所记载，以往认为处理液的溶解氧浓度和气氛中的氧浓度优选尽可能低。然而，根据本发明人等的研究，可知：在使用处理液蚀刻基板的情况下，不仅处理液的溶解氧浓度和气氛中的氧浓度可能会对蚀刻的结果产生影响，而且两者之差也可能会对蚀刻的结果产生影响。

例如已知，如果气氛中的氧浓度相对于处理液的溶解氧浓度过低，则有时蚀刻的均匀性会恶化。因此，处理液的溶解氧浓度和气氛中的氧浓度不一定越低越好。另外还已知，通过不仅控制处理液的溶解氧浓度和气氛中的氧浓度，而且还控制两者之差，从而能够使基板的整个表面或背面的蚀刻量的分布变化。

因此，本发明的目的之一在于提供一种通过在气氛中的氧浓度低的状态下将溶解氧浓度低的蚀刻液供给至基板的整个主面，从而能够一边控制蚀刻量的分布一边对基板的主面进行蚀刻的基板处理方法和基板处理装置。

本发明的一个实施方式提供一种基板处理方法，其包含：第1氧浓度确定工序，基于表示基板主面的蚀刻量的所需值的所需蚀刻量，确定表示蚀刻液的溶解氧浓度的设定值的设定溶解氧浓度和表示与保持于上述基板主面的上述蚀刻液接触的气氛中的氧浓度的设定值的设定气氛氧浓度中的一方；第2氧浓度确定工序，基于上述所需蚀刻量以及上述第1氧浓度确定工序中确定的上述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方，确定上述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方；低氧气体供给工序，使具有与上述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的上述设定气氛氧浓度一致或接近、且比空气中的氧浓度低的氧浓度的低氧气体流入至容纳上述基板的腔室内；以及蚀刻工序，一边使上述低氧气体供给工序中流入至上述腔室内的上述低氧气体与保持于上述基板主面的上述蚀刻液接触，一边将按照溶解氧浓度与上述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的上述设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的上述蚀刻液供给至保持为水平的上述基板的整个主面，从而对上述基板的主面进行蚀刻。

根据该方法，在降低了气氛中的氧浓度的状态下，将溶解氧浓度低的蚀刻液供给至基板的主面。由此，能够一边控制溶入保持于基板的蚀刻液中的氧的量，一边将蚀刻液供给至基板的整个主面。供给至基板主面的蚀刻液的实际溶解氧浓度与设定溶解氧浓度一致或接近。同样地，与保持于基板主面的蚀刻液接触的气氛中的实际氧浓度与设定气氛氧浓度一致或接近。