[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其包含：

第1氧浓度确定工序，基于表示基板主面的蚀刻量的所需值的所需蚀刻量，确定设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方，所述设定溶解氧浓度表示蚀刻液的溶解氧浓度的设定值，所述设定气氛氧浓度表示与保持于所述基板主面的所述蚀刻液接触的气氛中的氧浓度的设定值；

第2氧浓度确定工序，基于所述所需蚀刻量与所述第1氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方，确定所述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方；

低氧气体供给工序，使低氧气体流入至容纳所述基板的腔室内，所述低氧气体具有与所述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的所述设定气氛氧浓度一致或接近、且比空气中的氧浓度低的氧浓度；以及

蚀刻工序，使通过所述低氧气体供给工序流入至所述腔室内的所述低氧气体与保持于所述基板主面的所述蚀刻液接触，并且将按照溶解氧浓度与所述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的所述蚀刻液供给至保持为水平的所述基板的整个主面，从而对所述基板的主面进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，所述第1氧浓度确定工序和第2氧浓度确定工序中的一方包含以下工序中的一方：将比能够设定为所述设定溶解氧浓度的数值范围的最小值大的值确定为所述设定溶解氧浓度的工序；以及将比能够设定为所述设定气氛氧浓度的数值范围的最小值大的值确定为所述设定气氛氧浓度的工序。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，所述蚀刻工序包含液体排出工序：一边使从液体排出口排出的所述蚀刻液与所述基板的主面最初接触的落液位置在从所述蚀刻液开始排出到所述蚀刻液停止排出为止的期间位于所述基板的主面中央部，一边使按照溶解氧浓度与所述第1氧浓度确定工序或第2氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度一致或接近的方式减少了溶解氧的所述蚀刻液从所述液体排出口朝向保持为水平的所述基板的主面排出。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，所述第2氧浓度确定工序为如下工序：按照所述基板的整个主面的蚀刻量的分布成为圆锥状或倒圆锥状的方式，基于所述所需蚀刻量以及所述第1氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的一方，确定所述设定溶解氧浓度和设定气氛氧浓度中的另一方。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，所述第1氧浓度确定工序为基于所述所需蚀刻量来确定所述设定溶解氧浓度的工序，

所述第2氧浓度确定工序为基于所述所需蚀刻量和所述第1氧浓度确定工序中确定的所述设定溶解氧浓度来确定所述设定气氛氧浓度的工序。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，所述低氧气体供给工序包含如下工序：一边使能够在所述腔室内移动的相对构件的相对面与所述基板的主面相对，一边使所述低氧气体从设置于所述相对面的开口流入至所述基板的主面与所述相对构件的相对面之间。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，所述低氧气体供给工序包含如下工序：使所述低氧气体从设置于所述相对构件的相对面且与所述基板的主面中央部相对的中央开口流入至所述基板的主面与所述相对构件的相对面之间的工序；以及使所述低氧气体从设置于所述相对构件的相对面且与除所述基板的主面中央部以外的所述基板的主面的一部分相对的外侧开口流入至所述基板的主面与所述相对构件的相对面之间的工序。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，所述低氧气体供给工序包含如下工序：一边使所述腔室内的气体从所述腔室的下端部排出，一边使所述低氧气体从所述腔室的上端部流入至所述腔室内。