[发明专利]一种用于小型电子设备的无线充电接收装置

权利要求书

1.一种用于小型电子设备的无线充电接收装置，其特征在于，包括：

依次电连接的接收线圈模块、整流模块和稳压模块；其中，

所述接收线圈模块，用于感应无线充电发送装置产生的磁场，并产生交流电信号；

所述整流模块，用于将所述交流电信号转换为直流电信号；

所述稳压模块，用于将所述直流电信号的电压稳定在预设电压，将具有所述预设电压的直流电信号输出给充电电池。

2.根据权利要求1所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述接收线圈模块包括连接在所述整流模块的两个输入端之间的接收线圈，所述接收线圈以PCB布线的方式设置于所述无线充电接收装置所在的电路板上。

3.根据权利要求1所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述整流模块包括二极管D1、二极管D2、二极管D3和二级管D4，其中，

所述二极管D1的正极分别与所述稳压模块的第一输入端以及所述二极管D2的正极连接，所述二极管D1的负极与所述二极管D3的正极连接；所述二极管D3的正极经第五电容与所述接收线圈的第一端连接，所述二极管D3的负极与所述稳压模块的第二输入端连接；所述二级管D4的负极与所述二极管D3的负极连接，所述二级管D4的正极分别与所述二极管D2的负极以及所述接收线圈的第二端连接。

4.根据权利要求3所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述二极管D1、所述二极管D2、所述二极管D3和所述二级管D4均为硅基改性Ge肖特基二极管。

5.根据权利要求4所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述硅基改性Ge肖特基二极管包括：Si衬底(001)、晶化Ge_1-xSn_x层(007)、N型Ge_1-xSn_x层(009)、Al金属层(010)、W金属层(012)、第一电极和第二电极，其中，

所述晶化Ge_1-xSn_x层(007)设置在所述Si衬底(001)的表面；

所述N型Ge_1-xSn_x层(009)内嵌在所述晶化Ge_1-xSn_x层(007)中；

所述Al金属层(010)设置在所述N型Ge_1-xSn_x层(009)的表面，与所述第一电极连接；

所述W金属层(012)设置在所述晶化Ge_1-xSn_x层(007)表面的预设肖特基接触区域内，与所述第二电极连接；

其中，所述第二电极为所述硅基改性Ge肖特基二极管的正极，所述第一电极为所述硅基改性Ge肖特基二极管的负极。

6.根据权利要求5所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述N型Ge_1-xSn_x层(009)是对所述晶化Ge_1-xSn_x层(007)局部进行P离子注入后形成的，其中，所述N型Ge_1-xSn_x层(009)的掺杂浓度为10²⁰cm^-3。

7.根据权利要求5所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述晶化Ge_1-xSn_x层(007)是利用激光将依次形成于所述Si衬底(001)表面的第一Ge层、第二Ge层和N型Sn层融化结晶后形成的，其中，x>0.08。

8.根据权利要求7所述的无线充电接收装置，其特征在于，

所述激光为：波长为808nm、光斑尺寸为10mm×1mm、功率为1.5kW/cm²及移动速度为25mm/s的激光。