[发明专利]半导体装置和测试方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含PLL电路，所述PLL电路生成与基准信号同步的振荡信号，所述半导体装置的特征在于，

包含第一和第二外部端子，

所述PLL电路具有：

相位比较部，对所述基准信号与所述振荡信号的相位差进行检测，生成由2值表示所述相位差的相位差信号；

电压变换部，将所述相位差信号变换为具有与所述相位差对应的电压值的相位差电压，并将其向相位差电压节点施加，所述相位差由该相位差信号表示；

振荡部，生成具有与所述相位差电压对应的频率的信号来作为所述振荡信号；以及

校正电路，将对所述相位差电压进行校正的校正电流向所述相位差电压节点供给，

所述相位比较部将所述相位差信号经由所述第一外部端子输出，

所述校正电路在所述第二外部端子接收到测试控制信号的情况下生成与所述测试控制信号对应的电流，并将其作为所述校正电流向所述相位差电压节点供给。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述相位比较部生成包含脉冲的信号来作为所述相位差信号，所述脉冲具有与所述相位差对应的脉冲宽度，

所述电压变换部为电荷泵电路，所述电荷泵电路通过遍及所述相位差信号所包含的脉冲的脉冲宽度所对应的期间将电流向所述相位差电压节点流动，从而在所述相位差电压节点生成所述相位差电压。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

包含第三外部端子，所述第三外部端子接收示出通常模式或测试模式的工作模式信号，

所述校正电路包含：

第一~第n电流源，生成第一~第n电流，其中，n为2以上的整数；

第一寄存器，保持第一电流源选择信息，所述第一电流源选择信息示出在所述第一~第n电流源之中由所述测试控制信号指定的电流源；

第二寄存器，保持第二电流源选择信息，所述第二电流源选择信息示出在所述第一~第n电流源之中使用的电流源；以及

电流选择部，在所述工作模式信号示出所述通常模式的情况下，向所述相位差电压节点供给将由在所述第一~第n电流源之中使用所述第二电流源选择信息示出的电流源生成的、电流彼此合成后的电流来作为所述校正电流，在所述工作模式信号示出所述测试模式的情况下，向所述相位差电压节点供给将由在所述第一~第n电流源之中使用所述第一电流源选择信息示出的电流源生成的、电流彼此合成后的电流来作为所述校正电流。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述校正电路包含扩频控制部，所述扩频控制部根据扩频指令而生成第三电流源选择信息，所述第三电流源选择信息使在所述第一~第n电流源之中使用的电流源的数量随着时间经过增加或减少，

所述电流选择部在接收到所述扩频指令的情况下向所述相位差电压节点供给将由在所述第一~第n电流源之中使用所述第三电流源选择信息示出的数量的电流源生成的、电流彼此合成后的电流来作为所述校正电流。

5.一种半导体装置的测试方法，所述方法是对半导体装置进行测试的测试方法，所述半导体装置具有：第一和第二外部端子以及PLL电路，所述PLL电路包含：

相位比较部，对基准信号与振荡信号的相位差进行检测，生成由2值表示所述相位差的相位差信号，并且，将所述相位差信号向所述第一外部端子供给；

电压变换部，将所述相位差信号变换为具有与所述相位差对应的电压值的相位差电压，并将其向相位差电压节点施加，所述相位差由该相位差信号表示；

振荡部，生成具有与所述相位差电压对应的频率的信号来作为所述振荡信号；以及

校正电路，将对所述相位差电压进行校正的校正电流向所述相位差电压节点供给，在通过所述第二外部端子接收到测试控制信号的情况下，生成与所述测试控制信号对应的电流，并将其作为所述校正电流向所述相位差电压节点供给，

所述测试方法的特征在于，具有：

第一步骤，将所述测试控制信号向所述半导体装置的所述第二外部端子供给；

第二步骤，导入从所述半导体装置的所述第一外部端子输出的所述相位差信号；

第三步骤，判定所述相位差信号的脉冲宽度是否被包含在规定范围内；以及

第四步骤，得到在判定为所述相位差信号的脉冲宽度被包含在所述规定范围内的情况下表示所述校正电路为正常、在判定为所述相位差信号的脉冲宽度不被包含在所述规定范围内的情况下表示所述校正电路为不良的、测试结果。