[发明专利]电极厚度不对称的体声波谐振器、滤波器和电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域；

设置在三明治结构的一侧的增强结构，

其中：

位于所述三明治结构的所述一侧的电极的厚度小于位于所述三明治结构的另一侧的电极的厚度。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述顶电极包括金属层以及设置于金属层上的工艺层，金属层与工艺层的厚度之和为所述顶电极的厚度。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述顶电极的厚度大于所述底电极的厚度。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述顶电极的厚度小于所述底电极的厚度。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器，其中：

位于所述三明治结构的另一侧的电极厚度与位于所述三明治结构的一侧的电极厚度之比的比值在1.1-2.5的范围内。

6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：

位于所述三明治结构的另一侧的电极厚度与位于所述三明治结构的一侧的电极厚度之比的比值在1.5-2.25的范围内。

7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述增强结构包括凸起型增强结构。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述凸起型增强结构的宽度在0.5微米-7微米的范围内。

9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：

所述凸起型增强结构的宽度在0.5微米-2微米的范围内。

10.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述凸起型增强结构的宽度为S1模式横向兰姆波波长的1/4，或者所述兰姆波波长的1/4的奇数倍。

11.根据权利要求7-10中任一项所述的谐振器，其中：

所述凸起型增强结构的凸起厚度范围为

12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：

所述凸起型增强结构的凸起厚度范围为

13.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述谐振器还包括凹陷结构，所述凹陷结构邻近凸起型增强结构设置在凸起型增强结构的内侧。

14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构的宽度在0.5微米-7微米的范围内；或者所述凹陷结构的宽度为S1模式横向兰姆波波长的1/4，或者所述兰姆波波长的1/4的奇数倍。

15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构的宽度在0.5微米-2微米的范围内。

16.根据权利要求13或14所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构的深度的范围为

17.根据权利要求16所述的谐振器，其中：

所述凹陷结构的深度的范围为

18.根据权利要求1-17中任一项所述的谐振器，其中：

所述压电层掺杂有如下元素中的一种或多种：钪、钇、镁、钛、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥；且

掺杂元素的原子分数范围为1％-40％。