[发明专利]ONO薄膜的工艺方法在审
| 申请号： | 201811607465.8 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109698117A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王青;孙勤;高勇平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化层 自由基氧化工艺 隧道氧化层 半导体硅 氮化层 第一层 衬底 氮化硅层 制造工艺 生长 工艺流程 均一性 易调节 沉积 可用 制备 掺杂 替代 生产 | ||
1.一种ONO薄膜的方法，是适用于SONOS存储器制造工艺中形成ONO薄膜，其特征在于：包含主要工艺流程如下：
第一步，提供一半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底上采用低压自由基氧化工艺生长一层氧化层；
第二步，在上述形成的氧化层中掺杂N，在所述氧化层上形成一层SiON层。
第三步，继续形成一层氮化硅层。
第四步，再次完成氧化层沉积。
2.如权利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第一步中，利用高可靠性隧穿氧化层成膜设备来完成低压自由基氧化工艺。
3.如权利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第一步中形成的氧化层作为SONOS存储器的隧道氧化层。
4.如权利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第二步中，使用多晶硅栅间介质氮化设备利用SPA-N(Slot Plane Antenna Nitridation)工艺方法进行掺N。
5.如权利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第三步中，采用低压沉积工艺完成氮化硅层的制备。
6.如权利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述第四步中，采用高温低压沉积工艺来淀积氧化层。
7.如权利要求1或4所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：所述的氧化层中掺N，掺N的浓度和深度可调，能有效提高器件可靠性。
8.如权利要求1所述的ONO薄膜的方法，其特征在于：通过低压自由基氧化工艺形成氧化层，并且再在氧化硅表层形成一层SiON层，提高ONO膜层的均一性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
