[发明专利]一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成自旋轨道耦合层以及所述自旋轨道耦合层之上的磁阻隧道结，所述磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的第一磁性层、遂穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性；

其中，所述磁阻隧道结中存在缺陷，所述缺陷由离子注入产生，所述离子注入时，暴露出磁阻隧道结，且注入方向与所述衬底的垂直方向具有夹角、所述注入方向在所述衬底上的投影与所述自旋轨道耦合层中的电流方向为非平行。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述注入方向在所述衬底上的投影与所述自旋轨道 耦合层中的电流方向基本垂直。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入工艺的注入离子为N、As、Be、Ar、P或B。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述夹角的范围为30°-60°。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述磁阻隧道结的步骤包括：

依次进行磁阻隧道结的各材料层的生长；

进行所述磁阻隧道结的各材料层的图案化，以形成磁阻隧道结；

沿所述注入方向进行所述离子注入工艺。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成自旋轨道耦合层，包括：

在依次进行磁阻隧道结的各材料层的生长之前，在所述衬底上生长自旋轨道耦合层的材料层；则，

所述进行所述磁阻隧道结的各材料层的图案化，包括：进行所述自旋轨道耦合层的材料层的图案化以及所述磁阻隧道结的各材料层的图案化，以分别形成自旋轨道耦合层以及磁阻隧道结。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述磁阻隧道结还包括：所述第二磁性层上的钉扎层以及所述钉扎层上的保护层。

8.一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器，其特征在于，包括：

自旋轨道耦合层；

位于所述自旋轨道耦合层之上的磁阻隧道结，所述磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的第一磁性层、遂穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性；

其中，所述磁阻隧道结中存在缺陷，且沿所述自旋轨道耦合层中的电流方向磁阻隧道结一侧中的缺陷多于另一侧中的缺陷，所述缺陷由离子注入工艺产生。

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述离子注入工艺的注入离子为N、As、Be、Ar、P或B。

10.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述磁阻隧道结还包括：所述第二磁性层上的钉扎层以及所述钉扎层上的保护层。