[发明专利]控制电路与体声波滤波器的集成方法和集成结构在审
| 申请号: | 201811601419.7 | 申请日: | 2018-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111371424A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
| 发明(设计)人: | 秦晓珊 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/54 |
| 代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 董晓盈 |
| 地址: | 201210 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 控制电路 声波 滤波器 集成 方法 结构 | ||
一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法和集成结构。该集成方法包括:提供基底,基底形成有控制电路;在基底上形成第一空腔;提供BAW谐振结构,BAW谐振结构的表面设有输入电极、输出电极,BAW谐振结构包括第二空腔;将BAW谐振结构的表面朝向基底,使BAW谐振结构键合于基底且封闭第一空腔;将控制电路与输入电极、输出电极电连接。本发明在基底上形成控制电路和BAW滤波器所需要的空腔,再将已有BAW谐振结构安装于空腔,实现控制电路对BAW滤波器的控制,从而可以避免现有BAW滤波器作为分立器件集成于PCB导致的电连接工艺复杂、插入损耗大等问题,集成度高、降低工艺成本。
技术领域
本发明涉及声波滤波器技术领域,特别涉及一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法和集成结构。
背景技术
BAW滤波器是一种基于体声波理论、利用声学谐振实现电学滤波的器件,通过电极间的压电层(AlN、ZnO等)在垂直方向上的谐振进行滤波。空腔型BAW滤波器是目前应用最成功的BAW滤波器,其主体结构为上电极、压电层和下电极组成的三明治结构,上电极和下电极的两侧均设有空腔,当声波信号行进到上电极的顶端和下电极的底端时,由于声阻抗的巨大差异,造成声波的全反射。这种BAW滤波器的声泄露小,可实现器件的高Q值。
进行封装时,一般将单个的BAW滤波器封装为分立器件,再集成于印刷电路板(PCB)上。出于使用需求,往往需要在一个PCB板上集成多个BAW。这种单独封装再进行系统集成的方式带来SIP接线复杂、插入损耗大等问题,且需要引入分立的开关、选择、控制器件对BAW滤波器进行控制,提高了工艺复杂度和制造成本。
发明内容
本发明的目的是提出一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法和相应的集成结构,以克服现有BAW滤波器封装和集成过程中SIP接线复杂、插入损耗大的问题。
本发明一方面提出一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法,包括:
提供基底,所述基底形成有控制电路;
在所述基底上形成第一空腔;
提供BAW谐振结构,所述BAW谐振结构的表面设有输入电极、输出电极,所述BAW谐振结构包括第二空腔;
将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底,使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第一空腔;
将所述控制电路与所述输入电极、输出电极电连接。
可选地,所述基底包括衬底及形成在所述衬底上的第一介质层;
所述在所述基底上形成第一空腔包括:
在所述第一介质层内形成所述第一空腔。
可选地,所述衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。
可选地,所述控制电路包括器件结构及与所述器件结构电连接的第一互连结构层,所述第一互连结构层位于所述第一介质层,与所述输入电极、输出电极电连接。
可选地,所述器件结构包括MOS器件。
可选地,所述将所述控制电路与所述输入电极、输出电极电连接包括:
在键合所述BAW谐振结构之后,将所述第一互连结构层与所述输入电极、输出电极电连接;或者
在键合所述BAW谐振结构之前,在所述第一互连结构层上形成第一重布线层及第一焊垫;
在键合所述BAW谐振结构后,将所述第一焊垫与所述输入电极、所述输出电极电连接,以使所述输入电极、输出电极通过所述第一焊垫、所述第一重布线层与所述控制电路电连接。
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