[发明专利]PERC太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种PERC太阳电池，其特征在于，所述PERC太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合结构包括位于硅片第二表面上的钝化层、位于钝化层上的介质层、及位于介质层内或介质层表层的金属纳米颗粒阵列层。

2.根据权利要求1所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述复合结构包括位于硅片第二表面上的钝化层、及位于钝化层上的介质层，所述金属纳米颗粒阵列层位于介质层的上表层和/或下表层上。

3.根据权利要求1所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述复合结构包括位于硅片第二表面上的钝化层、位于钝化层上的第一介质层、及位于第一介质层上的第二介质层，所述金属纳米颗粒阵列层位于第一介质层和第二介质层之间。

4.根据权利要求2所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述钝化层包括SiN_x、SiO₂、Al₂O₃中的一种或多种，钝化层的厚度为1～100nm，所述介质层包括SiN_x、SiO₂、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂中的一种或多种，介质层的厚度为1～100nm。

5.根据权利要求3所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述钝化层包括SiN_x、SiO₂、Al₂O₃中的一种或多种，钝化层的厚度为1～100nm，所述第一介质层包括SiN_x、SiO₂、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂中的一种或多种，第一介质层的厚度为1～100nm，所述第二介质层包括SiN_x、SiO₂、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂中的一种或多种，第二介质层的厚度为1～100nm。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述金属纳米颗粒阵列层包括Ag、Cu、Au、Pt、Al纳米颗粒中的一种或多种，金属纳米颗粒的平均尺寸范围为1～200nm，金属纳米颗粒的平均间距为1～500nm。

7.根据权利要求1所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述硅片的第一表面上设有减反层，所述减反层包括SiN_x、SiO₂、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂中的一种或多种，减反层的厚度为1～100nm。

8.根据权利要求1所述的PERC太阳电池，其特征在于，所述硅片为单晶硅片、类单晶硅片、多晶硅片或直接硅片，硅片的厚度范围为20μm～200μm。

9.一种PERC太阳电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S1、对硅片进行扩散制备PN结；

S2、在硅片的第二表面上制备复合结构，所述复合结构包括位于硅片第二表面上的钝化层、位于钝化层上的介质层、及位于介质层内或介质层表层的金属纳米颗粒阵列层；

S3、在硅片的第一表面和/或第二表面上制备电极。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1前还包括：

将硅片放入碱溶液或酸溶液中去除硅片表面损伤层，并在硅片的第一表面上制备绒面结构。