[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种在形成于被处理基片上的图案上成膜的成膜方法，所述被处理基片被配置在载置台上，所述载置台被设置在能够在减压环境下进行等离子体处理的空间内，在该空间配置有与所述载置台相对的能够供给高频电力的上部电极，所述成膜方法的特征在于：

反复执行下述流程，其中该流程包括：

在所述被处理基片的所述图案上形成沉积膜的第一步骤；和

仅对所述上部电极供给电力来在所述空间中产生等离子体，从而对该空间进行清扫的第二步骤。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一步骤包括：

对所述空间供给包含前体的材料的第一气体，使该前体吸附在所述图案的表面的步骤；和

产生第二气体的等离子体并将该等离子体供给到所述前体的步骤。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气体是氨基硅烷类气体。

4.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述第二气体包含氧或氮。

5.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

在所述第二步骤中，在所述空间内产生第三气体的等离子体，所述第三气体包含卤素化合物。

6.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

作为所述第一气体的氨基硅烷类气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。

7.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

作为所述第一气体的氨基硅烷类气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。

8.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气体包含卤化钨。

9.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气体包含四氯化钛或四(二甲基氨基)钛。

10.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一气体包含卤化硼。

11.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述第一步骤包括：

对所述空间供给包含供电子性的第一取代基的第一气体，使所述第一取代基吸附在所述图案的表面的步骤；和

对所述第一取代基供给包含吸电子性的第二取代基的第二气体的步骤。

12.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述第一步骤中，利用异氰酸酯与胺的聚合反应或异氰酸酯与具有羟基的化合物的聚合反应，形成所述沉积膜。