[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，P型电极的焊盘部分和多个分支手指均设置在P型半导体层上，绝缘层和主干手指依次层叠在所述凹槽内的N型半导体层上，主干手指的一端与所述P型电极的焊盘部分连接，主干手指的另一端向远离P型电极的焊盘部分的方向延伸，各个分支手指的一端分别与主干手指连接，各个分支手指的另一端向远离主干手指的方向延伸。本发明可以减小P型半导体层上设置的手指部分的面积，减少P型电极遮挡和吸收的光线，提升LED芯片的发光亮度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED的核心组件。

现有的LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型电极和N型电极，N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上，P型半导体层上设有延伸至N型半导体层的凹槽，N型电极设置在凹槽内的N型半导体层上，P型电极设置在P型半导体层上。

N型电极和P型电极均包括焊盘部分和手指部分。焊盘部分实现电流的注入。手指部分的一端与焊盘部分连接，手指部分的另一端向远离焊盘部分的方向延伸，以使电流均匀注入N型半导体层或者P型半导体层。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

P型电极的材料会遮挡和吸收有源层发出的光线，而P型电极的手指部分为了实现电流的均匀注入，会分布在整个P型半导体层上，遮挡和吸收的光线较多，对LED芯片的出光影响较大，导致LED芯片的发光亮度降低。

发明内容

本发明实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，能够解决现有技术P型电极的手指部分遮挡和吸收的光线较多，导致LED芯片发光亮度降低的问题。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、N型电极、P型电极和绝缘层；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述N型电极包括焊盘部分和手指部分，所述手指部分的一端与所述N型电极的焊盘部分连接，所述手指部分的另一端向远离所述N型电极的焊盘部分的方向延伸；所述P型电极包括焊盘部分、主干手指和多个分支手指，所述P型电极的焊盘部分和所述多个分支手指均设置在所述P型半导体层上，所述绝缘层和所述主干手指依次层叠在所述凹槽内的N型半导体层上，所述主干手指的一端与所述P型电极的焊盘部分连接，所述主干手指的另一端向远离所述P型电极的焊盘部分的方向延伸，各个所述分支手指的一端分别与所述主干手指连接，各个所述分支手指的另一端向远离所述主干手指的方向延伸。

可选地，所述主干手指与所述手指部分平行。

优选地，所述主干手指和所述手指部分之间的距离为1μm～20μm。

更优选地，所述手指部分与所述发光二极管芯片的边缘之间的距离为1μm～50μm。

可选地，所述多个分支手指间隔设置在所述主干手指的同一侧。

优选地，所述多个分支手指相互平行。

进一步地，相邻两个所述分支手指之间的距离为定值。

优选地，所述定值为20μm～200μm。

可选地，每个所述分支手指与所述分支手指和所述P型电极的焊盘部分之间的主干手指之间的夹角为钝角。