[发明专利]硅基电感结构及其中的封闭线的版图

权利要求书

1.一种硅基电感结构，其特征在于，包括：

衬底；

电感线圈，位于所述衬底上；

一封闭金属线和一封闭多晶硅线，所述封闭金属线和所述封闭多晶硅线位于所述衬底与所述电感线圈之间，所述封闭金属线位于所述封闭多晶硅线之上，所述封闭金属线与所述封闭多晶硅线通过通孔连接，并所述封闭金属线接地，其中，所述封闭金属线包括多个相邻的线段，所述封闭多晶硅线包括多个相邻的线段，且在电感磁场变换下，所述封闭金属线的相邻线段间产生相反方向的互补电流，所述封闭多晶硅线的相邻线段间产生相反方向的互补电流，其中，所述封闭金属线覆盖的区域具有一X轴方向和一Y轴方向，所述封闭金属线的覆盖区域包括多个与X轴平行的间隙和多个与Y轴平行的间隙，其中位于所述封闭金属线的覆盖区域中心位置的一与X轴平行的间隙和一与Y轴平行的间隙构成“十”字结构的间隙，且所述封闭金属线的覆盖区域还包括一与X轴成一锐角的间隙和一与X轴成一钝角的间隙，所述与X轴成一锐角的间隙和所述与X轴成一钝角的间隙与所述“十”结构的间隙共同构成“米”字结构的间隙，其中所述与X轴平行的间隙与所述与X轴成一锐角的间隙或所述与X轴成一钝角的间隙形成交替“连通-不连通”的结构。

2.根据权利要求1所述的硅基电感结构，其特征在于，所述与X轴平行的间隙中的相邻两个间隙中的一个与所述与X轴成一锐角的间隙连接或所述与X轴成一钝角的间隙连接，另一个与所述与X轴成一锐角的间隙及所述与X轴成一钝角的间隙不连接，所述封闭金属线的覆盖区域内的金属线被所述间隙分割成多个金属线段。

3.根据权利要求2所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭金属线的覆盖区域的金属线被所述间隙分割成从周围8个方向向所述封闭金属线的覆盖区域中心形成多折环绕封闭线。

4.根据权利要求3所述的硅基电感结构，其特征在于，被所述间隙分割的多个所述金属线段首尾相互连接组成封闭结构，部分所述金属线段与X轴方向平行，部分所述金属线段与Y轴方向平行。

5.根据权利要求1所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭金属线的覆盖区域内的所述与X轴平行的间隙和所述与Y轴平行的间隙为工艺最小值。

6.根据权利要求2所述的硅基电感结构，其特征在于，所述金属线段为工艺最大值。

7.根据权利要求1-6任一项所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭多晶硅线与所述封闭金属线的形状相同并且尺寸相同。

8.根据权利要求7所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭多晶硅线与所述封闭金属线上下对齐堆叠。

9.根据权利要求1所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭金属线为所述电感线圈与所述封闭多晶硅线之间的任一层金属线。

10.根据权利要求9所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭金属线为与所述封闭多晶硅线相邻的一层金属线。

11.根据权利要求9所述的硅基电感结构，其特征在于，所述封闭金属线的覆盖区域和所述封闭多晶硅线的覆盖区域与所述电感线圈的覆盖区域的形状相同，且三者上下对齐。