[发明专利]OLED显示装置及其制作方法

说明书

本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法。本发明的OLED显示装置包括TFT阵列基板、设于所述TFT阵列基板上的OLED器件以及设于所述OLED器件上的辅助导线；所述TFT阵列基板包括显示区以及与该显示区相邻的走线区；所述OLED器件包括位于所述显示区中的有机膜层以及覆盖所述有机膜层的阴极；所述阴极包括位于所述显示区中的第一部分以及位于所述走线区中并与第一部分连接的第二部分；所述辅助导线与第二部分接触以降低阴极的电阻，从而降低阴极的压降，提高阴极整体的导电能力，进而避免因阴极的压降引起OLED器件发光不均。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光材料层、设于发光材料层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光材料层，并在发光材料层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

如图1所示，为现有的OLED显示装置，其有机膜层200的厚度为1000～3000A，而阴极300的厚度为100～1500A，在阴极300蒸镀时桥接基板100与阴极300处会存在台阶覆盖，部分地方阴极300的厚度太薄,即在图1的A’处，阴极300的厚度太薄，反射率过低，使底发光的OLED器件背面漏光；在图1的B’处，阴极300的厚度不均，导致压降大，使OLED器件功耗高且发光不均匀；在图1的C’处，阴极300的厚度较薄，距离绑定区越远则压降越大，同条件下OLED器件亮度越低。特别是堆叠白光器件与顶发光器件，因有机膜层太厚或阴极太薄更易造成此类问题。现有技术采用多边绑定技术改善发光不均的问题，但与窄边框技术的发展趋势冲突。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED显示装置，可以降低阴极的电阻，从而降低阴极的压降，提高阴极整体的导电能力，进而避免因阴极的压降引起OLED器件发光不均。

本发明的目的在于提供一种OLED显示装置的制作方法，可以降低阴极的电阻，从而降低阴极的压降，提高阴极整体的导电能力，进而避免因阴极的压降引起OLED器件发光不均。

为实现上述目的，本发明提供了一种OLED显示装置，包括：TFT阵列基板、设于所述TFT阵列基板上的OLED器件以及设于所述OLED器件上的辅助导线；

所述TFT阵列基板包括显示区以及与该显示区相邻的走线区；

所述OLED器件包括位于所述显示区中的有机膜层以及覆盖所述有机膜层的阴极；

所述阴极包括位于所述显示区中的第一部分以及位于所述走线区中并与第一部分连接的第二部分；

所述辅助导线与第二部分接触以降低阴极的电阻。