[发明专利]一种压力传感器

说明书

本发明实施例公开了一种压力传感器。该压力传感器包括：衬底；设置于所述衬底表面的单晶硅层；以及设置于所述单晶硅层表面的压感电阻、加热单元、测温单元和控制单元，所述控制单元分别与所述加热单元和所述测温单元电连接；所述加热单元设置于所述压感电阻周边。本发明实施例的方案提高了压力传感器的压力检测精度，降低了生产成本。

技术领域

本发明实施例涉及压力检测技术，尤其涉及一种压力传感器。

背景技术

硅压阻压力传感器的原理是利用单晶硅材料的压阻效应制成，是目前应用最为广泛的一种压力传感器，其具有灵敏度高、动态响应快、测量精度高、稳定性好、工作温度范围宽、易于小型微型化、便于批量生产以及使用方便等优点。

硅压阻压力传感器会受到温度的影响，导致零点电压和灵敏度会随温度的变化而产生漂移，因此现有的硅压阻压力传感器都需要进行温度补偿，温度补偿需要长达数小时，造成硅压阻压力传感器成本升高。

发明内容

本发明提供一种压力传感器，以实现提高压力传感器的压力检测精度，降低生产成本。

本发明实施例提供了一种压力传感器，该压力传感器包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的单晶硅层；

以及设置于所述单晶硅层表面的压感电阻、加热单元、测温单元和控制单元，所述控制单元分别与所述加热单元和所述测温单元电连接；所述加热单元设置于所述压感电阻周边。

可选的，所述衬底远离所述单晶硅层的表面设置有凹槽或者所述衬底邻近所述单晶硅层的表面设置有凹槽；

所述单晶硅层包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域与所述衬底设置有凹槽的区域对应；

所述压感电阻至少部分设置于所述单晶硅层的所述第一区域；所述测温单元和所述控制单元设置于所述单晶硅层的所述第二区域。

可选的，所述压力传感器包括多个压感电阻，每一所述压感电阻对应一加热单元。

可选的，所述压力传感器包括四个压感电阻，所述第一区域的形状为矩形，每一所述压感电阻分别设置于所述第一区域的一个边。

可选的，所述加热单元的形状为U型，所述加热单元环绕所述压感电阻，且所述U型的开口朝向所述压感电阻最邻近的所述第一区域的边。

可选的，所述压力传感器包括多个压感电阻，所述多个压感电阻均设置于所述第一区域的同一边；

所述加热单元环绕所述多个压感电阻。

可选的，所述压力传感器包括四个压感电阻，所述四个压感电阻围成一矩形，所述加热单元包括四个边，每一边对应一压感电阻，且与对应的压感电阻平行设置。

可选的，所述加热单元与所述压感电阻之间的距离为0.5微米-1微米。

可选的，所述压力传感器还包括：

检测电极和保护层；

所述检测电极与所述压感电阻电连接；

所述保护层覆盖所述压感电阻、所述加热单元、所述测温单元和所述控制单元。

可选的，所述衬底的形状为正方形，所述衬底的边长为1毫米-2毫米；

所述第一区域的形状为正方形，所述第一区域的边长为0.5毫米-1毫米。