[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，其是对基板进行处理的基板处理方法，其特征在于，包括：

利用磷酸液对所述基板进行处理的步骤；

在利用所述磷酸液对所述基板进行处理后，利用淋洗液对所述基板进行处理的步骤；

在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，以从利用所述磷酸液对所述基板进行了处理时形成在所述基板上的磷扩散区域中去除所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜的方式，利用含有氨的药液对所述基板进行处理的步骤；以及

在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，且在利用所述药液对所述基板进行处理前，利用蚀刻液将所述基板的所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜去除的步骤。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

利用所述药液对所述基板进行处理的步骤包括从所述基板的表面上去除厚度未满0.3nm的膜的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

利用所述蚀刻液对所述基板进行蚀刻的蚀刻速度比利用所述药液对所述基板进行蚀刻的蚀刻速度大。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

利用所述蚀刻液从所述基板上去除的膜的厚度比利用所述药液从所述基板上去除的膜的厚度大。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，

所述蚀刻液的温度比所述药液的温度高。

6.一种基板处理装置，其是对基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，包括：

磷酸液供给装置，将磷酸液供给至所述基板上；

淋洗液供给装置，将淋洗液供给至所述基板上；

蚀刻液供给装置，将蚀刻液供给至所述基板上；

药液供给装置，将含有氨的药液供给至所述基板上；以及

控制部，对所述磷酸液供给装置、所述淋洗液供给装置、所述蚀刻液供给装置及所述药液供给装置进行控制；且

所述控制部

以所述磷酸液供给装置将所述磷酸液供给至所述基板上而利用所述磷酸液对所述基板进行处理的方式，控制所述磷酸液供给装置，

在利用所述磷酸液对所述基板进行处理后，以所述淋洗液供给装置将所述淋洗液供给至所述基板上而利用所述淋洗液对所述基板进行处理的方式，控制所述淋洗液供给装置，

在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，以所述药液供给装置将所述药液供给至所述基板上，从利用所述磷酸液对所述基板进行了处理时形成在所述基板上的磷扩散区域中去除所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜的方式，控制所述药液供给装置，且

以在利用所述淋洗液对所述基板进行处理后，且在利用所述药液对所述基板进行处理前，利用蚀刻液将所述基板的所述磷扩散区域的深度方向上的一部分的厚度的膜去除的方式，控制所述蚀刻液供给装置。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部以从所述基板的表面上去除厚度未满0.3nm的膜的方式控制所述药液供给装置。

8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部以利用所述蚀刻液对所述基板进行蚀刻的蚀刻速度变得比利用所述药液对所述基板进行蚀刻的蚀刻速度大的方式，控制所述蚀刻液供给装置及所述药液供给装置。

9.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部以利用所述蚀刻液从所述基板上去除的膜的厚度变得比利用所述药液从所述基板上去除的膜的厚度大的方式，控制所述蚀刻液供给装置及所述药液供给装置。

10.根据权利要求6或7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述控制部以所述蚀刻液的温度变得比所述药液的温度高的方式控制所述蚀刻液供给装置及所述药液供给装置。