[发明专利]一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811530024.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109503162B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李恩竹;杨鸿宇;杨鸿程;陈亚伟;钟朝位;张树人 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 co sn ta 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料，其特征在于：
为Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷材料，晶体结构为Trirutile相，预烧温度850℃-1000℃，预烧后合成主晶相Co0.5Sn0.5TaO4，烧结温度1250-1350oC，介电常数15-20，损耗介于4.81×10-4-6.02×10-4，谐振频率温度稳定系数-2.65～-0.59 ppm/℃；
其原料组成为Co2O3、SnO2和Ta2O5，化学通式Co0.5Sn0.5TaO4，通过固相法制得。
2.如权利要求1所述Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：
步骤1：将氧化钴Co2O3、氧化锡SnO2和氧化钽Ta2O5的原始粉末按照化学通式Co0.5Sn0.5TaO4配料；
步骤2：将步骤1所得配料：氧化锆球：去离子水，以质量比1:4-6:3-6配比，行星球磨6-8小时，然后在80℃-120℃下烘干，再以60-200目筛网过筛，最后在850℃-1000℃大气氛围中预烧3-5小时合成主晶相Co0.5Sn0.5TaO4；
步骤3：将步骤2所得粉料按照粉料：氧化锆球：去离子水质量比1:3-5:2-4，行星球磨混合4-6小时，然后在80℃-100℃下烘干，烘干后添加质量百分比为2～5%的PVA溶液作为粘结剂造粒，压制成型，最后在1250℃-1350℃大气气氛中烧结4-6小时，制成Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷材料。
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