[发明专利]一种高电子空穴对分离效率复合光催化剂及其制备方法

权利要求书

1.一种高电子空穴对分离率复合光催化剂的制备方法，所述高电子空穴对分离率复合光催化剂为Nb₂O₅/2D g-C₃N₄复合光催化剂，纳米球花状五氧化二铌占整个Nb₂O₅/2D g-C₃N₄复合光催化剂的 质量比 为5％-20％，以2D g-C₃N₄为基体，纳米球花状Nb₂O₅在其表面上均匀分布并形成致密界面，以形成异质结构，其特征在于，具体步骤如下：

第一步：用水热合成方法合成五氧化二铌纳米球花，将五氯化铌和碳酸钠以1:5的摩尔比，加入到装有去离子水的反应釜中，搅拌、超声后将反应釜放置于烘箱中，在150-200℃条件下加热200-340min；离心洗涤所得的白色样品即为所述的五氧化二铌纳米球花；

第二步：将得到的五氧化二铌纳米球花加入到去离子水中，搅拌、超声使其均匀分散，得到五氧化二铌悬浮液；五氧化二铌悬浮液的浓度为0.01-0.02mg/L；

第三步：将五氧化二铌悬浮液加入到装有三聚氰胺的坩埚中，搅拌使其混合均匀；五氧化二铌悬浮液与三聚氰胺的比例为2-6mL：2g；

第四步：将搅拌均匀的混合物移至坩埚，放入马弗炉中进行二次煅烧，一次煅烧的温度为500-550℃，保温200-240min，升温速率为2-5℃/min，二次煅烧温度为490-530℃，保温100-180min，升温速率为10-20℃/min，得到的白色固体即为所述Nb₂O₅/2D g-C₃N₄光催化材料。

2.如权利要求1所述的一种高电子空穴对分离率复合光催化剂的制备方法，其特征在于，纳米球花状五氧化二铌占整个Nb₂O₅/2D g-C₃N₄复合光催化剂的 质量比 为10.4％，在可见光λ＝420nm的照射下，该复合光催化剂的量子效率最大能达到14.75％。

3.如权利要求1所述的一种高电子空穴对分离率复合光催化剂的制备方法，其特征在于，第一步中，搅拌30-60min，超声1-2h。

4.如权利要求1所述的一种高电子空穴对分离率复合光催化剂的制备方法，其特征在于，第二步中，搅拌30-60min，超声30-60min；五氧化二铌悬浮液的浓度为0.02mg/L。

5.如权利要求1所述的一种高电子空穴对分离率复合光催化剂的制备方法，其特征在于，第三步中，搅拌50-80min；五氧化二铌悬浮液与三聚氰胺的比例为4mL：2g。