[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其在形成于基板上的作为层间绝缘膜的多孔质的低介电常数膜中通过蚀刻形成沟槽和通孔，其特征在于，

所述制造方法包括如下工序：

埋入工序，对所述低介电常数膜供给聚合用的原料，在所述低介电常数膜内的孔部埋入具有脲键的聚合物；

对所述低介电常数膜进行蚀刻，形成通孔的工序；

接着，在所述通孔内埋入包含有机物的保护用的填充物的工序；

然后，对所述低介电常数膜进行蚀刻，形成沟槽的工序；

接着，去除所述填充物的工序；和，

形成所述沟槽后，对所述基板进行加热而将所述聚合物解聚，由此从所述低介电常数膜内的孔部将所述聚合物去除的工序，

在所述孔部埋入所述聚合物的工序在形成所述沟槽之前进行。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述填充物为具有脲键的聚合物。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在所述低介电常数膜的表面形成用于对沟槽进行蚀刻的沟槽用的掩模，然后形成用于对通孔进行蚀刻的通孔用的掩模，

在所述孔部埋入所述聚合物的工序在形成所述沟槽用的掩模后、形成所述通孔前进行。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在所述低介电常数膜的表面形成用于对沟槽进行蚀刻的沟槽用的掩模，然后形成用于对通孔进行蚀刻的通孔用的掩模，

在所述孔部埋入所述聚合物的工序在形成所述沟槽用的掩模前进行。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述孔部埋入所述聚合物的工序与埋入所述填充物的工序同时进行。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进行去除所述填充物的工序后，进行对位于通孔的底部的蚀刻终止膜进行蚀刻的工序，

从所述低介电常数膜内的孔部将所述聚合物去除的工序在对所述蚀刻终止膜进行蚀刻的工序之后进行。

7.一种半导体装置的制造方法，其在形成于基板上的作为层间绝缘膜的多孔质的低介电常数膜中通过蚀刻形成沟槽和通孔，其特征在于，

所述制造方法包括如下工序：

埋入工序，对所述低介电常数膜供给聚合用的原料，在所述低介电常数膜内的孔部埋入具有脲键的聚合物；

在所述低介电常数膜的表面形成沟槽用的掩模的工序；

使用所述沟槽用的掩模对所述低介电常数膜进行蚀刻，形成沟槽的工序；

接着，在所述沟槽内形成通孔用的掩模的工序；

然后，使用所述通孔用的掩模，对所述沟槽的底部进行蚀刻，形成通孔的工序；

接着，去除所述通孔用的掩模的工序；和，

形成所述沟槽后，对所述基板进行加热而将所述聚合物解聚，由此从所述低介电常数膜内的孔部将所述聚合物去除的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述通孔用的掩模为具有脲键的聚合物。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述埋入工序在形成所述沟槽用的掩模的工序之后进行。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述埋入工序在形成所述沟槽用的掩模的工序之前进行。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，埋入所述聚合物的工序为使异氰酸酯的蒸气及胺的蒸气扩散至所述低介电常数膜内，并使异氰酸酯与胺发生聚合反应的工序。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将所述聚合物解聚的工序是将基板加热至300℃～400℃而进行的。