[发明专利]一种直流继电切换电路在审

专利信息
申请号: 201811509183.4 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109637892A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 冀蓬举;韩冰冰;刘蛟;徐玉翠 申请(专利权)人: 北京动力源科技股份有限公司
主分类号: H01H47/00 分类号: H01H47/00;H01H47/02;H02J1/00
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;吴昊
地址: 100070 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 继电开关 半导体开关 电容 电阻 电切换 电弧 电路 直流电流 并联 触点 半导体开关器件 充电电流 充电过程 电压上升 电压升高 电阻串联 电阻电容 电阻两端 开启电压 依次串联 直流回路 控制端 连接端 导通 减小 串联
【权利要求书】:

1.一种直流继电切换电路,其特征在于,包括:

串联在直流回路中、用于切断直流电流的继电开关;

与所述继电开关并联的半导体开关;

以及依次串联的第一电阻、电容和第二电阻,所述第一电阻、电容和第二电阻串联后与所述继电开关和所述半导体开关并联,且所述半导体开关的控制端接至所述第二电阻与所述电容的连接端;

工作时,所述继电开关切断直流电流后,在所述电容的充电过程中,充电电流使所述第二电阻两端电压升高,使得连接所述电容的一端电压高于所述半导体开关的开启电压使所述半导体开关导通。

2.根据权利要求1所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述半导体开关为三极管、MOS管或IGBT。

3.根据权利要求2所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述半导体开关为N型半导体开关管,所述N型半导体开关管的漏极连接继电开关的一端,并接至直流回路相对高压侧,所述N型半导体开关管的源极连接继电开关的另一端,并接至直流回路相对低压侧,所述N型半导体开关管的栅极连接所述第二电阻和所述电容的连接端。

4.根据权利要求3所述的直流继电切换电路,其特征在于,该电路还包括:稳压二极管,所述稳压二极管的阳极连接所述N型半导体开关管的源极,所述稳压二极管的阴极连接所述N型半导体开关管的栅极,以钳制所述N型半导体开关管的驱动电压。

5.根据权利要求4所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述稳压二极管的稳压值不高于半导体开关管栅极允许的最高电压且不低于半导体开关管栅极的开启电压。

6.根据权利要求5所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述稳压二极管为1N4744稳压二极管或ZMM12稳压二极管。

7.根据权利要求1-6任一项所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述继电开关为交流继电器。

8.根据权利要求1-6任一项所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述继电开关为直流继电器。

9.根据权利要求1-6任一项所述的直流继电切换电路,其特征在于,所述继电开关为接触器。

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