[发明专利]存储器装置有效
| 申请号: | 201811508158.4 | 申请日: | 2018-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN110718246B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
| 发明(设计)人: | 吴星来;金东赫;丁寿男 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;G11C7/12;G11C7/18 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,该存储器装置包括:
多条位线,所述多条位线沿着第一方向延伸并且沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列;
页缓冲器电路,所述页缓冲器电路包括电联接至所述多条位线的多个页缓冲器;以及
高速缓存电路,所述高速缓存电路包括电联接至所述多个页缓冲器的多个高速缓存,
其中,所述页缓冲器电路被划分为多个页缓冲器区,并且沿着所述第一方向设置在所述高速缓存电路的两侧。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中,所述高速缓存电路被划分成至少两个高速缓存区,并且
其中,所述页缓冲器区沿着所述第一方向设置在所述高速缓存区中的每一个的两侧。
3.根据权利要求2所述的存储器装置,
其中,所述页缓冲器电路被划分为其数目是所述高速缓存区的数目的两倍的页缓冲器区,并且
其中,一对页缓冲器区沿着所述第一方向分别设置在一个高速缓存区的两侧。
4.根据权利要求3所述的存储器装置,其中,所述高速缓存电路被划分为两个高速缓存区,并且所述页缓冲器电路被划分为四个页缓冲器区。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中,一个页缓冲器分别与一个高速缓存对应,并且
其中,每个页缓冲器通过单独的页线与对应的高速缓存联接。
6.根据权利要求5所述的存储器装置,
其中,构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器通过被分布在所述多个页缓冲器区中来布置,并且
其中,与构成一个数据输入/输出单元并且通过被分布在所述多个页缓冲器区中来布置的页缓冲器联接的多条页线中的每对页线在所述高速缓存电路的两侧被布置在同一延长线上。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中,一个页缓冲器分别与一个高速缓存对应,
其中,构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器通过被分布在所述多个页缓冲器区中来布置,并且
其中,一个页缓冲器区中的构成一个数据输入/输出单元的多个页缓冲器通过一条页线与对应的高速缓存联接。
8.根据权利要求7所述的存储器装置,其中,与构成一个数据输入/输出单元并通过被分布在所述多个页缓冲器区中来布置的页缓冲器联接的多条页线被布置在同一延长线上。
9.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述页缓冲器电路基于对应的数据线被划分为多个页缓冲器区。
10.一种存储器装置,该存储器装置包括:
页缓冲器电路,所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器;以及
高速缓存电路,所述高速缓存电路包括分别与所述多个页缓冲器对应的多个高速缓存,
其中,所述多个页缓冲器中的每一个通过单独的页线联接到对应的高速缓存,并且
其中,与构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器联接的页线中的一些页线被布置在所述高速缓存电路的一侧,而所述页线中的其它一些页线被布置在所述高速缓存电路的另一侧。
11.根据权利要求10所述的存储器装置,其中,与构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器联接的每对页线在同一延长线上分别布置在所述高速缓存电路的两侧。
12.根据权利要求10所述的存储器装置,其中,与构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器联接的页线当中的偶数页线被布置在同一延长线上。
13.根据权利要求12所述的存储器装置,其中,布置在一条延长线上的页线为至少四条。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811508158.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:存储装置及其操作方法





