[发明专利]氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法有效
| 申请号: | 201811500627.8 | 申请日: | 2018-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN109585326B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
| 发明(设计)人: | 王荣华;任永硕;程万希;宋书宽;高珺;梁辉南 | 申请(专利权)人: | 大连芯冠科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 大连非凡专利事务所 21220 | 代理人: | 闪红霞 |
| 地址: | 116023 辽宁省大连市高新技术*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氮化 外延 垂直 漏电 霍尔 效应 复合 测试 方法 | ||
1.一种氮化镓外延片垂直漏电流与霍尔效应复合测试方法,有由衬底(1)、缓冲层(2)、沟道层(3)及势垒层(4)构成的氮化镓外延片,其特征在于依次按照如下步骤进行:
将势垒层(4)表面分出垂直漏电流测试区域(5)及霍尔效应测试区域(6);
进行第一次光刻,使垂直漏电流测试区域(5)全部暴露,霍尔效应测试区域(6)正方形测试单元间的隔离区(7)或电极沉积区(8)暴露;
进行第一次刻蚀,刻蚀深及沟道层;
若霍尔效应测试区域(6)正方形测试单元间的隔离区(7)形成刻蚀沟槽,则进行d.1~d.2 步骤;否则进行d.3~d.7步骤;
d.1 去胶;
d.2 利用第一荫罩板(9)进行电极蒸镀或溅射,所述第一荫罩板(9)上均布有第一电极沉积通孔(10);
d.3 利用第二荫罩板(11)进行电极蒸镀或溅射,所述第二荫罩板(11)覆盖垂直漏电流测试区域(5)部位设有第一电极沉积通孔(10)、覆盖霍尔效应测试区域(6)部位镂空;
d.4 金属剥离;
d.5 对霍尔效应测试区域 (6)进行第二次光刻,使正方形测试单元间的隔离区(7)暴露;
d.6 对霍尔效应测试区域 (6)进行第二次刻蚀,刻蚀深及沟道层;
d.7 去胶;
垂直漏电流测试;
欧姆接触退火;
霍尔效应测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





