[发明专利]半导体切割道标记结构及半导体切割方法在审

申请号：	201811500096.2	申请日：	2018-12-07
公开（公告）号：	CN109390323A	公开（公告）日：	2019-02-26
发明（设计）人：	黄寓洋	申请（专利权）人：	苏州苏纳光电有限公司
主分类号：	H01L23/544	分类号：	H01L23/544;H01L21/304;H01L21/67
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256	代理人：	王锋
地址：	215000 江苏省苏州市苏州工业***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	半导体对准标记切割标记结构切割道方向间隔间隔设置切割过程划片道良率停机垂直监控检查
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【说明书】：

本发明公开了一种半导体切割道标记结构及半导体切割方法。所述半导体切割道标记结构包括：沿第一方向间隔设置的多个第一对准标记、沿第二方向间隔设置的多个第二对准标记，所述第一方向与第二方向相垂直，且任一第一对准标记与任一第二对准标记之间均间隔设置。本发明提供的半导体切割方法，x，y两个方向(x方向即第一方向、y方向即第二方向)的切割均可以得到有效的指示，并且可以在切割过程中直接监控划片道的宽度是否正常，如有异常可以随时停机检查，提高了良率。

技术领域

本发明涉及一种半导体切割工艺，特别涉及一种半导体切割道标记结构及半导体切割方法，属于半导体加工技术领域。

背景技术

目前在半导体晶圆制造领域，切割工序中，一般使用工艺过程中特别制作的十字标记(如图1a、图1b所示)对划片道进行对准和切割，这种十字标记在切割完x，y的其中一个方向以后，大部分甚至全部缺失，在切割另外一个方向时，指示对准的作用已经不明显，甚至完全消失，造成另外一个方向切割的对准时间上升，对准精度下降。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种半导体切割道标记结构及半导体切割方法，以克服现有技术的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种半导体切割道标记结构，其包括：沿第一方向间隔设置的多个第一对准标记、沿第二方向间隔设置的多个第二对准标记，所述第一方向与第二方向相垂直，且任一第一对准标记与任一第二对准标记之间均间隔设置。

进一步的，对应于一第一对准标记的第一方向切割道的一侧边与配合该第一对准标记的一第二对准标记的一端平齐。

进一步的，对应于一第二对准标记的第二方向切割道的一侧边与配合该第二对准标记的一第一对准标记的一端平齐。

更进一步的，对应于一第一对准标记的第一方向切割道与对应于相配合的一第二对准标记的第二方向切割道垂直交叉。

在一些较为具体的实施方案中，第一对准标记、第二对准标记分别是沿第一方向、第二方向延伸的短线段。

本发明实施例还提供了一种半导体切割方法，其包括：

在半导体上设置多个第一对准标记和多个第二对准标记，该多个第一对准标记、多个第二对准标记分别沿第一方向、第二方向间隔设置，所述第一方向与第二方向相垂直，且任一第一对准标记与任一第二对准标记之间均间隔设置；

依据所述第一对准标记、第二对准标记，分别沿第一方向、第二方向对所述半导体进行切割。

进一步的，对应于一第一对准标记的第一方向切割道的一侧边与配合该第一对准标记的一第二对准标记的一端平齐。