[发明专利]一种偏心式真空辅助旋涂垂直深孔内壁绝缘层制作方法在审
| 申请号： | 201811490935.7 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109637970A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 丁英涛;高巍;熊苗;蔡子孺 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深孔内壁 真空辅助 偏心式 旋涂 制作 绝缘层 超高深宽比 垂直互连 垂直 深孔 高分子聚合物层 高分子聚合物 三维集成技术 底部绝缘层 可靠性问题 微电子集成 绝缘材料 偏心放置 室温环境 无缝填充 常规的 硅圆片 均匀性 圆片级 侧壁 衬底 匀胶 半导体 破碎 三维 兼容 芯片 应用 制造 保证 | ||
1.一种偏心式真空辅助旋涂垂直深孔内壁绝缘层的制作方法，其特征在于：在室温环境25℃下，进行垂直深孔内高分子聚合物的偏心式真空辅助旋涂，包括如下步骤：
P01：在硅衬底上制作垂直硅衬底上表面的垂直深孔结构；
所述硅衬底材料为硅或者玻璃片或者有机材料；
所述垂直深孔为盲孔结构，即深孔不穿透硅衬底；所述深孔结构的横截面形状为圆形、方形或多边形；
所述垂直深孔采用反应离子刻蚀(RIE)或者深反应离子刻蚀(DRIE)或者激光烧蚀或者湿法腐蚀方法；
所述深孔最小直径2μm，最大深度40μm；
P02：在硅衬底上表面覆盖满高分子聚合物；
所述高分子聚合物为苯并环丁烯或者聚酰亚胺或者聚乙烯或者聚二甲基硅氧烷或者环氧树脂；
P03：对表面覆盖满高分子聚合物的硅衬底进行真空处理，利用真空环境所产生的压力差，去除深孔内的气体成分，实现高分子聚合物在垂直深孔内的无缝填充；
所述真空处理过程是将表面涂覆满高分子聚合物的硅衬底，转移到密闭腔室进行抽气处理，使得密闭腔室形成真空环境；
所述无缝填充指垂直深孔内仅有高分子聚合物，不存在气泡、间隙或裂缝；
P04：对将硅衬底偏心放置于匀胶台上，匀胶台直径是硅衬底直径的两倍及以上；
P05：采用旋涂技术，通过离心作用力，去除深孔内大部分的高分子聚合物，利用高分子聚合物与深孔内壁的粘附力，在硅衬底表面和深孔内壁留下均匀的高分子聚合物层，作为绝缘层；
所述旋涂的实现方法是通过常规的半导体匀胶台实现；
所述内壁包括深孔的侧壁和底面；
至此，本发明提供的偏心式真空辅助旋涂垂直深孔内壁绝缘层制作完毕。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
