[发明专利]一种二氧化铈纳米棒及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201811486302.9 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109536903A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 安涛;窦春月;鞠金宁;魏文龙;纪全增 | 申请（专利权）人： | 长春大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 130000 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化铈 纳米棒 制备 磁控溅射 入射 制备方法和应用 纳米材料制备 混合气氛 最大接触 单晶片 接触角 三棱锥 靶材 衬底 | ||
【权利要求书】：
1.一种二氧化铈纳米棒的制备方法，包括以下步骤：
在Ar和O2的混合气氛中，以Si(100)单晶片作为衬底，以Ce作为靶材，进行掠入射磁控溅射，得到二氧化铈纳米棒。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述Ar和O2的体积比为(25～35)：10。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掠入射磁控溅射的掠射角为45～55°。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掠入射磁控溅射的压强为0.8～2Pa。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掠入射磁控溅射的温度为200～600℃。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掠入射磁控溅射的射频功率为90～110W，溅射时间为80～180分钟。
7.权利要求1～6任一项所述的制备方法制备得到的二氧化铈纳米棒，其特征在于，所述二氧化铈纳米棒与水的接触角≥107.5°。
8.权利要求7所述的二氧化铈纳米棒在制备疏水陶瓷材料中的应用。
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