[发明专利]具有空气腔的扇出型天线封装结构及其制备方法有效
| 申请号: | 201811484573.0 | 申请日: | 2018-12-06 |
| 公开(公告)号: | CN109285828B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
| 发明(设计)人: | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请(专利权)人: | 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01Q1/22;H01L23/498;H01L21/683;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 空气 扇出型 天线 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有空气腔的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述具有空气腔的扇出型天线封装结构包括:
重新布线层,包括相对的第一表面及第二表面;
半导体芯片,装设于所述重新布线层的第一表面,且与所述重新布线层电连接;
第一塑封材料层,位于所述重新布线层的第一表面,且将所述半导体芯片封裹塑封;
第二塑封材料层,位于所述重新布线层的第二表面;
第一天线结构,位于所述第二塑封材料层远离所述重新布线层的表面;所述第一天线结构包括天线及位于所述天线外侧的地线,其中,所述天线位于所述半导体芯片的正上方;
第一电连接结构,位于所述第二塑封材料层内,一端与所述重新布线层电连接,另一端与所述第一天线结构电连接;
空气腔结构,位于所述第一天线结构上,且位于所述天线的外围,以将所述天线密封;
第三塑封材料层,位于所述第二塑封材料层远离所述重新布线层的表面,所述第三塑封材料层将所述第一天线结构及所述空气腔结构塑封;
第二天线结构,位于所述第三塑封材料层远离所述第二塑封材料层的表面,且位于所述天线的外侧;
第二电连接结构,位于所述第三塑封层内,一端与所述第二天线结构电连接,另一端与所述地线电连接;
连接通孔,位于所述第一塑封材料层内,且暴露出部分所述重新布线层的第一表面;
焊料凸块,位于所述连接通孔内,且与所述重新布线层电连接。
2.根据权利要求1所述的具有空气腔的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述空气腔结构远离所述第二塑封材料层的表面与所述第三塑封材料层远离所述第二塑封材料层的表面相平齐。
3.根据权利要求1所述的具有空气腔的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述第二天线结构包括双极化天线。
4.根据权利要求1所述的具有空气腔的扇出型天线封装结构,其特征在于,所述第一电连接结构包括金属引线或金属柱;所述第二电连接结构包括金属引线或金属柱。
5.一种具有空气腔的扇出型天线封装结构的制备方法,其特征在于,所述具有空气腔的扇出型天线封装结构的制备方法包括如下步骤:
1)提供一基板;
2)提供一半导体芯片,将所述半导体芯片正面朝下倒装装设于所述基板上;
3)于所述基板上形成第一塑封材料层,所述第一塑封材料层将所述半导体芯片封裹塑封;
4)去除所述基板,所述第一塑封材料层的一表面暴露出所述半导体芯片的正面;
5)于所述第一塑封材料层暴露出所述半导体芯片正面的表面形成重新布线层,所述重新布线层包括相对的第一表面及第二表面,其中,所述重新布线层的第一表面与所述第一塑封材料层的表面相接触;
6)于所述重新布线层的第二表面形成第一电连接结构,所述第一电连接结构的底部与所述重新布线层电连接;
7)于所述重新布线层的第二表面形成第二塑封材料层,所述第二塑封材料层将所述第一电连接结构塑封,且所述第二塑封材料层远离所述重新布线层的表面与所述第一电连接结构的顶部相平齐;
8)于所述第二塑封材料层远离所述重新布线层的表面形成第一天线结构,所述第一天线结构与所述第一电连接结构的顶部电连接;所述第一天线结构包括天线及位于所述天线外侧的地线,其中,所述天线位于所述半导体芯片的正上方;
9)于所述第一天线结构上形成空气腔结构及第二电连接结构;所述第二电连接结构的底部与所述第一天线结构中的所述地线电连接,所述空气腔结构位于所述天线的外围,以将所述天线密封;
10)于所述第二塑封材料层远离所述重新布线层的表面形成第三塑封材料层,所述第三塑封材料层将所述第一天线结构、所述第二电连接结构及所述空气腔结构塑封;所述第三塑封材料层远离所述重新布线层的表面与所述第二电连接结构的顶部相平齐;
11)于所述第三塑封材料层远离所述第二塑封材料层的表面形成第二天线结构,所述第二天线结构与所述第二电连接结构的顶部电连接,且位于所述天线的外侧;
12)于所述第一塑封材料层内形成焊料凸块,所述焊料凸块与所述重新布线层电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛合晶微半导体(江阴)有限公司,未经盛合晶微半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811484573.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆结构及其测试方法
- 下一篇:低电容静电放电(ESD)器件





