[发明专利]一种紫外LED外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201811468293.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585622A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 何苗;丛海云;黄仕华;熊德平 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多量子阱结构层 背离 电子阻挡层 外延结构 组分变化 紫外LED 缓冲层 未掺杂 衬底 申请 内量子效率 极化电场 量子限制 生长 阻挡层 隧穿 | ||
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底第一侧的缓冲层；
位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的未掺杂的GaN层；
位于所述未掺杂的GaN层背离所述缓冲层一侧的N型GaN层；
位于所述N型GaN层背离所述未掺杂的GaN层一侧的多量子阱结构层；
位于所述多量子阱结构层背离所述N型GaN层一侧的Al组分变化的电子阻挡层；
位于所述Al组分变化的电子阻挡层背离所述多量子阱结构层一侧的P型GaN层。
2.如权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述Al组分变化的电子阻挡层包括：
位于所述多量子阱结构层背离所述N型GaN层一侧的Al0.1Ga0.9N层；
位于所述Al0.1Ga0.9N层上表面的Al0.15Ga0.85N层；
位于所述Al0.15Ga0.85N层上表面的Al0.2Ga0.8N层；
位于所述Al0.2Ga0.8N层上表面的Al0.25Ga0.75N层。
3.如权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述未掺杂的GaN层长温度为1030℃-1050℃，厚度为2.5μm。
4.如权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述缓冲层生长温度为510℃-530℃，厚度为25nm，并在1030℃-1050℃下恒温预设时间以使所述缓冲层重结晶。
5.如权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱结构层包括依次层叠六个周期的AlxGa1-xN层和GaN层。
6.如权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述N型GaN层的厚度为3μm，生长温度为1030℃-1050℃，Si掺杂浓度为5×1018cm-3。
7.如权利要求1至6任一项所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述P型GaN层的厚度为100nm，生长温度为970℃-990℃，Mg掺杂浓度为5×1017cm-3。
8.一种紫外LED外延结构制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上表面制备缓冲层；
在所述缓冲层背离所述衬底一侧形成未掺杂的GaN层；
在所述未掺杂的GaN层背离所述缓冲层一侧形成N型GaN层；
在所述N型GaN层背离所述未掺杂的GaN层一侧形成多量子阱结构层；
在所述多量子阱结构层背离所述N型GaN层一侧形成Al组分变化的电子阻挡层；
在所述Al组分变化的电子阻挡层背离所述多量子阱结构层一侧形成P型GaN层。
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