[发明专利]一种提高芯片系统级可靠性的结构

权利要求书

1.一种提高芯片系统级可靠性的结构，包括：

管芯；

管芯外围的焊盘；以及

处于焊盘外围的密封环，所述密封环包括多个金属层以及层叠在多个金属层之间的多个介质层，所述多个金属层中的一层或多层形成电容，所述电容电连接在电源正极与接地之间，所述电容是金属-氧化物-金属MOM电容，

其中所述MOM电容包括形成在同一层中的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别延伸出数个指状极板，所述第一电极和第二电极的指状极板相互平行且以相互交错的形式放置，这些交错放置的指状极板之间以当前层的层间介质作为绝缘层形成MOM电容。

2.如权利要求1所述的提高芯片系统级可靠性的结构，其特征在于，所述MOM电容位于密封环的任意一层或几层金属层中。

3.如权利要求1所述的提高芯片系统级可靠性的结构，其特征在于，所述电容与所述焊盘内的放电电路并联。

4.如权利要求1所述的提高芯片系统级可靠性的结构，其特征在于，焊盘包括电源正极焊盘和接地焊盘，所述所述电容的两个电极分别与电源正极焊盘和接地焊盘连接。