[发明专利]一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法

说明书

本发明提供了一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法，用于聚焦离子束机台，衬底放置于聚焦离子束机台的样品台上，样品台接地，衬底具有导电性，衬底上覆盖有绝缘层，缺陷位于绝缘层上，通过在绝缘层上横向距离缺陷5～10μm处制备一沟槽，并形成导电层以填充沟槽并覆盖绝缘层的表面，导电层用于提供一导电通道。通过制备导电通道，实现了接地效果，能够导走绝缘层上的电荷，使得缺陷附近的刻蚀图形得到改善，从而改善了在衬底缺陷处的图形刻蚀，提高了制程缺陷分析的时效性，提高了工作效率，减少了经济损失。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法。

背景技术

随着半导体技术的进一步发展，半导体工厂基于效率和降低成本的考虑，对制程缺陷需要在短时间内做出判断处理以减少损失，聚焦离子束机台是利用聚焦离子束对样品进行微切割来对掩埋在样品表面的缺陷进行分析的设备。聚焦离子束机台的使用大大提高了制程缺陷分析的时效性。

图1是现有技术中的一种晶圆表面的绝缘层上电荷2聚集的示意图，

图2是现有技术中的一种晶圆表面的绝缘层上聚集的电荷2导致刻蚀图形发生偏移和失真变形的电子扫描示意图，图3是现有技术中的一种晶圆表面的绝缘层上聚集的电荷2导致钨沉积不稳定图形变形的电子扫描示意图，图3中的电子扫描示意图是采用等离子体聚焦离子束切割机对样品作成像处理得到的。请参考图1、图2及图3，现有技术中的聚焦离子束机台是通过收集二次电子和背散射电子形成图像的，在一些不导电的制程中，晶圆1的表面生长有绝缘层，大量电荷2聚集在绝缘层上，当绝缘层的表面的电荷2达到一定的程度后会发生充放电现象，由于电荷2具有同性相斥的特性，聚焦离子束电荷发射端3持续发射的电荷2将因为这种特性而无法继续到达晶圆1的表面，从而导致离子束发生偏转，导致预期刻蚀位置4的图形发生偏移或者失真变形而产生了实际刻蚀位置5，影响了制程缺陷分析的时效性，进而影响了生产节奏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法，以解决现有技术中电荷聚集在衬底表面的绝缘层上导致离子束发生偏转的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种改善衬底缺陷处的图形刻蚀的方法，用于聚焦离子束机台，所述衬底放置于所述聚焦离子束机台的样品台上，所述样品台接地，所述衬底具有导电性，所述衬底上覆盖有绝缘层，所述缺陷位于所述绝缘层上，包括以下步骤：

S1：在所述绝缘层上横向距离所述缺陷5～10μm处制备一沟槽，所述沟槽的底部位于所述衬底中，所述沟槽和所述缺陷沿所述绝缘层的表面的横向方向间隔分布；

S2：形成导电层以填充所述沟槽并覆盖所述绝缘层的表面，所述导电层用于提供一导电通道。

优选地，所述S2具体包括：

沉积第一金属以填充所述沟槽，在所述第一金属上沿所述绝缘层的表面的横向方向再沉积第二金属。

优选地，所述第一金属和所述第二金属的材质相同。

优选地，所述导电层的材质为钨或铂。

优选地，所述绝缘层的表面覆盖的所述导电层在平行于所述绝缘层的表面方向的截面面积为40～100μm²，所述绝缘层的表面覆盖的所述导电层的厚度为0.05～0.5μm。

优选地，所述沟槽在垂直于所述绝缘层的表面方向的截面形状为上宽下窄的倒梯形，所述沟槽在平行于所述绝缘层的表面方向的最大截面面积为9～16μm²，且所述沟槽的槽深为1～2μm。

优选地，在形成所述导电层以填充所述沟槽的过程中，所述导电层的厚度为3～4μm，所述聚焦离子束机台发射的离子束沿其发射方向在所述绝缘层的表面上的投影轮廓的边缘与相邻所述沟槽的槽壁的最小距离为0.5～1μm。