[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括边缘区与和位于所述边缘区内的中心区，在ISSG工艺中所述边缘区与所述中心区压力分布不同；

利用所述ISSG工艺并采用变化压力的方式，在所述半导体衬底上形成一层氧化层，其中，所述ISSG工艺分为五个时间段，在不同时间段内分别采用不同的压力，所述压力的变化范围为5.5torr～8torr ，在所述边缘区中，第一时间段内施加压力为6.40torr-6.60torr；第二时间段内施加压力在5.40torr-5.60torr；第三段时间内施加压力为6.40torr-6.60torr；第四时间段内施加压力在5.40torr-5.60torr；第五时间段内施加压力为6.40torr–6.60torr。

2.如权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述ISSG工艺中，所述边缘区压力较所述中心区压力小。

3.如权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述ISSG工艺的温度条件为900℃～1100℃，通入的氢气与氧气的比例为0.1％～99.9％，气体流量为1slm/s～100slm/s。

4.如权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度范围是

5.如权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行ISSG工艺之前，所述半导体结构的制备方法还包括：对所述半导体衬底进行清洗和脱水处理。

6.如权利要求1所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法还包括：对所述氧化层的表面进行光刻工艺。

7.如权利要求6所述半导体结构的制备方法，其特征在于，所述光刻工艺包括：旋转涂胶，软烘，对准和曝光，曝光后烘焙，显影，坚膜烘焙以及显影后的光刻路径测试。