[发明专利]一种硅片清洗方法

说明书

本发明公开了一种硅片清洗方法，包括步骤：将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗；将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗。本发明能够有效清洗硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质，提高了硅片的清洗效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种硅片清洗方法。

背景技术

在硅片的生产中，其表面往往会沾染各种挥发物而形成杂质，特别是表面会形成有一些金属杂质，这样影响了硅片的加工效果，严重的话对后续半导体的加工和使用造成不良的后果。所以在加工硅片的过程中，必须对硅片进行清洗。目前，对硅片的清洗的方式一般为只是用水冲洗一下硅片，这样清洗效果不佳，不能有效清洗硅片表面的由挥发物形成的杂质，尤其是金属杂质。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种硅片清洗方法，能够有效清洗硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质，提高了硅片的清洗效果。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种硅片清洗方法，其包括：

将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；

将所述硅片放入纯水中进行清洗；

将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；

将所述硅片放入纯水中进行清洗。

作为上述方案的改进，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70％的硫酸溶液及浓度为45～55％的氢氟酸溶液配制而成。

作为上述方案的改进，在将硅片放入清洗液中进行清洗时，清洗温度为25℃～30℃，清洗时间为15～25分钟。

作为上述方案的改进，所述酸洗液中的氢氟酸的体积百分比为3-5％，所述酸洗液中的盐酸的体积百分比为10％。

作为上述方案的改进，在将所述硅片放入酸洗液中进行清洗时，清洗时间为20～30分钟。

作为上述方案的改进，在将所述硅片放入纯水中进行清洗时，清洗温度为75～85℃，清洗时间为25～35分钟。

作为上述方案的改进，所述纯水的电阻率大于20MΩ·cm。

本发明实施例提供的所述硅片清洗方法，首先将硅片放入包含有硫酸、氢氟酸和水的清洗液中进行清洗，以对硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行初步溶解；接着，将所述硅片放入纯水中进行清洗，以去掉所述硅片表面残留有的清洗液，便于后续的清洗的进行；然后，将所述硅片放入包含有氢氟酸、盐酸和水的酸洗液中进行清洗，以对硅片表面残留有的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行有效溶解，确保硅片表面残留有的这些杂质被有效清洗掉；最后，将硅片放入纯水中进行清洗，以去掉所述硅片表面残留有的酸洗液，从而完成硅片的清洗。由上分析可知，本发明实施例能够对硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质进行有效清洗，从而提高了硅片的清洗效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供一种硅片清洗方法的流程示意图。

具体实施方式