[发明专利]一种硅片清洗方法在审
| 申请号： | 201811453006.9 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261493A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 程丙坤 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括：
将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗；
将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70％的硫酸溶液及浓度为45～55％的氢氟酸溶液配制而成。
3.根据权利要求1或2所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将硅片放入清洗液中进行清洗时，清洗温度为25℃～30℃，清洗时间为15～25分钟。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述酸洗液中的氢氟酸的体积百分比为3-5％，所述酸洗液中的盐酸的体积百分比为10％。
5.根据权利要求1或4所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将所述硅片放入酸洗液中进行清洗时，清洗时间为20～30分钟。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将所述硅片放入纯水中进行清洗时，清洗温度为75～85℃，清洗时间为25～35分钟。
7.根据权利要求1或6所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述纯水的电阻率大于20MΩ·cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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