[发明专利]减少刮痕和水痕的晶圆清洗承托装置

说明书

本发明公开了减少刮痕和水痕的晶圆清洗承托装置，其结构包括承托器、水流内排结构、底架、操作握杆，底架为空心的长方形框体，底架两条长边正中间设有操作握杆，操作握杆关于底架正中心中心对称，操作握杆和底架活动配合，本发明承托器、水流内排结构、底架等共同配合，利用左右移动底架让晶圆一对一落入承托器中，避免在清洗过程中晶圆两两之间互相摩擦产生刮痕，且从水流内排结构和四个承托器形成空口双方向进行排水，保证清洗后的晶圆不会上下两个端面都不会有清洁液，就不会产生水痕，最后可以总承托器的切口夹取已经清洗完毕的晶圆。

技术领域

本发明涉及电子产品用的晶圆清洗领域，尤其是涉及到一种减少刮痕和水痕的晶圆清洗承托装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路中制作中所用的硅芯片，晶圆是集成电路的主要载体，一般意义上的晶圆是指单晶硅圆片，在使用过程中，晶圆的表面的均匀度会影响数据承载或者使用寿命，在使用前，晶圆都会采用清洗设备清洗其表面的污渍，来保证其表面的均匀度，目前采用两种方式，一种是采用单体固定晶圆进行清洗，效率低，花费的清洗液液比较多，另一种是大批量进行清洗，两两晶圆间容易发生摩擦，造成刮痕，且清洗后的晶圆通常会有一面是浸渍在清洁液中，容易有水痕，因此清洗完毕后的晶圆的使用寿命就会缩短，采用这种晶圆的电子产品就需要经常更换集成电路板。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明是通过如下的技术方案来实现：减少刮痕和水痕的晶圆清洗承托装置，其结构包括承托器、水流内排结构、底架、操作握杆，所述底架为空心的长方形框体，所述底架两条长边正中间设有操作握杆，所述操作握杆关于底架正中心中心对称，所述操作握杆和底架活动配合，所述底架内部设有两个以上的水流内排结构，所述水流内排结构首尾两端水平固定在底架内壁，所述水流内排结构首尾两端皆设有承托器，所述承托器和水流内排结构活动嵌合。

作为本技术方案的进一步优化，所述承托器由内流水孔、环形内置板、斗状放置体、内流水道、切口组成，所述斗状放置体顶端内壁设有环形内置板，所述环形内置板和斗状放置体采用水平胶接的方式固定，所述斗状放置体为空心结构且其内部空间为内流水道，所述环形内置板上均匀钻有两个以上的内流水孔，所述斗状放置体顶端边缘处切有一道切口，所述斗状放置体底端和水流内排结构活动嵌合，所述环形内置板内径小于晶圆直径而其外径大于晶圆直径。

作为本技术方案的进一步优化，所述切口深度达到环形内置板以下1-1.5cm。

作为本技术方案的进一步优化，所述水流内排结构包括连通管、底排、排水道，所述底排为一字型结构，所述底排首尾两端水平固定在底架内壁，所述底排正中间开有一个U型的排水道，所述排水道两端贯通底排边缘，在U型排水道转折处垂直连接有连通管，所述连通管末端贯通底排上表面后与斗状放置体底部相连接，所述连通管为空心圆柱结构，所述连通管连通斗状放置体的内流水道和排水道。

作为本技术方案的进一步优化，所述底架与操作握杆相邻的两边水平设有半圆长条a，所述半圆长条a和底架采用胶水贴合，所述半圆长条a采用具有一定弹性的弹性体如泡沫塑料、橡胶等材料制成。

作为本技术方案的进一步优化，两两水流内排结构上的四个承托器在横向和纵向上都是相切的，且承托器上的切口与水平线的夹角都是度，这样设计，四个承托器之间会形成一个类菱形状的空口，而承托器上的切口又在这个空口的边缘，方便手指或仪器深入其中取出放置在承托器上的晶圆。

有益效果

本发明减少刮痕和水痕的晶圆清洗承托装置与现有技术相比具有以下优点：

1.本发明承托器和底架共同配合，利用操作握杆控制底架左右移动产生振动，让需要清洗的晶圆一对一落入承托器中，避免晶圆在清洗过程中两两之间互相摩擦造成刮痕。