[发明专利]一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片在审
| 申请号： | 201811448585.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109270099A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 车仁超;赵雪冰;张捷 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属电极 透射电镜 正面绝缘层 电学测试 金属电路 微波频率 原位测试 芯片 硅基片 绝缘层 测试技术领域 信号输入电极 电子显微镜 并联电阻 波形信号 测量电极 寄生电容 微波信号 信号输入 原位测量 阻抗匹配 接地 电极 硅片 延伸 拓展 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片，其特征在于，硅基片和硅基片两面的绝缘层，以及在硅基片正面绝缘层上的金属电路；所述金属电路至少包含两个金属电极，分别用于接地和信号输入；并且金属电极在靠近样品一侧用50–75Ω的并联电阻相连，以实现与微波信号输入端的阻抗匹配；硅基片两面的绝缘层为二氧化硅，或者为二氧化硅表面再生长有氮化硅，正面绝缘层总厚度1.5–5.0μm，使得电极与硅片的寄生电容小于1pF；金属电极延伸至用于放置样品的窗口上或窗口外0–20μm。
2.根据权利要求1所述的透射电镜原位高频电学测试芯片，其特征在于，在所述的信号输入电极靠近样品端，还引出有测量电极，用于信号的原位测量，测量电极的电阻为50–75Ω。
3.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位高频电学测试芯片，其特征在于，所述的接地电极通过绝缘层通孔与硅基片连接。
4.根据权利要求1或2所述的透射电镜原位高频电学测试芯片，其特征在于，所述的硅基片厚度为100–300μm，所述金属电路的厚度为20–200nm。
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