[发明专利]存储器系统及其操作方法有效
| 申请号: | 201811437252.5 | 申请日: | 2018-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN110045917B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
| 发明(设计)人: | 金光秀 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器系统,包括:
控制器,被配置为响应于从主机装置输入的主机接口模式改变命令,而选择预编码模式或正常写入模式;以及
半导体存储器装置,被配置为在所述控制器的控制下,在所述预编码模式中将从所述主机装置输入的操作系统OS代码数据存储在OS存储区域中;
其中所述控制器在初始设置中启用所述预编码模式,并且当所述主机接口模式改变命令对应于高速模式时,所述控制器将在初始设置操作期间的所述预编码模式的状态保持为启用状态。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述主机装置包括ROM写入器或应用处理器。
3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述控制器通过根据所述主机接口模式改变命令确定所述主机装置是所述ROM写入器还是所述应用处理器,而以所述预编码模式或所述正常写入模式操作。
4.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述ROM写入器向所述控制器输出与所述高速模式相对应的所述主机接口模式改变命令,以及
所述应用处理器向所述控制器输出与HS 200模式或HS 400模式相对应的所述主机接口模式改变命令。
5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中当所述主机接口模式改变命令对应于所述HS 200模式或所述HS 400模式时,所述控制器禁用在所述初始设置操作期间的所述预编码模式的状态。
6.根据权利要求1所述的存储器系统,其中所述控制器:
当与所述主机接口模式改变命令相对应的主机接口模式是具有的数据传输速度慢于设定数据传输速度的第一主机接口模式时,将在所述初始设置操作期间的所述预编码模式的状态保持为所述启用状态;以及
当与所述主机接口模式改变命令相对应的所述主机接口模式是具有的数据传输速度快于所述设定数据传输速度的第二主机接口模式时,禁用在所述初始设置操作期间的所述预编码模式的状态。
7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中当所述主机接口模式改变命令对应于所述第一主机接口模式时,以所述预编码模式操作,以及当所述主机接口模式改变命令对应于所述第二主机接口模式时,以所述正常写入模式操作。
8.根据权利要求7所述的存储器系统,其中所述半导体存储器装置包括多个正常存储器块以及用于存储数据的所述OS存储区域,
其中在所述正常写入模式中,从所述主机装置输入的正常数据被存储在所述多个正常存储器块中。
9.根据权利要求8所述的存储器系统,其中当所述OS存储区域的空白空间在所述预编码模式中不足时,所述控制器能够将所述OS代码数据存储在所述多个正常存储器块中。
10.根据权利要求8所述的存储器系统,其中在所述OS存储区域中所包括的存储器块是使用单级单元(SLC)方法编程和读取的存储器块,并且
所述正常存储器块是使用多级单元(MLC)、三级单元(TLC)或四级单元(QLC)方法编程和读取的存储器块。
11.一种用于操作存储器系统的方法,所述方法包括:
响应于从主机装置输入的主机接口模式改变命令而选择主机接口模式;
根据所述主机接口模式改变命令选择预编码模式或正常写入模式;以及
在所述预编码模式或所述正常写入模式中,将从所述主机装置输入的数据存储在半导体存储器装置中;
其中所述半导体存储器装置包括多个存储器块,并且所述多个存储器块中的一些存储器块被定义为用于在所述预编码模式中存储OS代码数据的OS存储区域,并且所述多个存储器块中除了所述OS存储区域之外的其他存储器块被定义为正常存储器块;
其中当所述OS存储区域的空存储器块的数目在所述预编码模式中不足时,所述OS代码数据被存储在所述正常存储器块中。
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