[发明专利]集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法

权利要求书

1.一种集成电路电容器阵列结构，其特征在于，包括：

衬底；

下电极层，突出的位于所述衬底上，由所述下电极层内形成有电容孔；

电容介质层，共形地覆盖所述下电极层的表面；

上电极层，共形地覆盖所述电容介质层的表面；

电容极板，区块状位于所述衬底上并形成于所述上电极层上，所述电容极板包括由下至上依次叠置的金属填充层及共形地覆盖所述金属填充层的导电覆盖层，所述导电覆盖层构成为上电极结构的顶表面层及侧表面层，以供接合至少一第一互连结构于所述顶表面层上。

2.根据权利要求1所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，还包括上电极填充体，位于所述上电极层和所述电容极板之间并且无孔隙填满所述电容孔，所述电容极板自所述上电极填充体的顶面延伸至所述衬底位于所述上电极填充体覆盖区域外的周边表面。

3.根据权利要求2所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，所述上电极填充体直接贴附于所述上电极层的表面还形成于相邻的所述下电极层之间，所述上电极填充体具有顶面及侧面，所述金属填充层直接贴附于所述上电极填充体的所述顶面和所述侧面。

4.根据权利要求1所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，所述金属填充层填充于所述电容孔，以电连接至所述上电极层并使所述电容孔内为无孔隙填满形态。

5.根据权利要求4所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，所述金属填充层直接贴附于所述上电极层的表面，且所述金属填充层还形成于所述下电极层之间。

6.根据权利要求1所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，所述上电极层无孔隙填满所述电容孔，并电连接至所述电容极板。

7.根据权利要求1所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，还包括底层支撑层、中间支撑层及顶层支撑层，皆形成于所述衬底上并连接、支撑所述下电极层；所述底层支撑层位于所述下电极层的底部外围，所述中间支撑层位于所述下电极层的中间部位，所述顶层支撑层位于所述下电极层的开口处外围。

8.根据权利要求1所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，还包括：

介质层，形成于所述衬底上，并覆盖于所述电容极板的上表面、侧面及所述衬底上的周边表面；

所述第一互连结构，位于所述介质层内且在所述电容极板上，并与所述电容极板的所述导电覆盖层相连接；及

第二互连结构，位于所述介质层内且位于所述电容极板的覆盖区域外，所述第二互连结构较长于所述第一互连结构。

9.根据权利要求8所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，所述衬底上形成有若干个电容接触节点及连接焊垫，所述电容接触节点与所述下电极层的底部相连接，所述连接焊垫与所述第二互连结构的底部相连接。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的集成电路电容器阵列结构，其特征在于，所述上电极层包括原子层沉积形成的氮化钛层，所述金属填充层包括钨层，所述导电覆盖层包括氮化钨层。

11.一种半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括如权利要求1所述的集成电路电容器阵列结构。