[发明专利]一种电流比较器有效
| 申请号: | 201811390578.7 | 申请日: | 2018-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN109379064B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
| 发明(设计)人: | 朱智勇 | 申请(专利权)人: | 广州金升阳科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510663 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电流 比较 | ||
本发明公开一种电流比较器,包括电流作差级、增益级和输出级;电流作差级为共源共栅电流镜,电流输入端连接栅漏短接的MOS管,使得电流比较器的等效输入阻抗降低,能够增大比较速度;增益级引入带反馈的电流源负载的共源放大器,并且电流源偏置电压由高阈值电压管产生,可以减小偏置管电流,节省功耗;输出级引入自偏置差分放大器,可以明显提升输出比较器的驱动能力。根据理论分析和仿真结果表明,本发明具有高精度和高驱动能力的特点。
技术领域
本发明涉及集成电路设计领域,具体涉及一种高精度电流比较器。
背景技术
随着集成电路技术的快速发展,片上系统已经得到了广泛的应用。在大多数片上系统中均有电流比较器的身影,如数据转换器芯片,电源芯片,甚至用于工业的数字隔离器芯片等等。电流比较器的速度,精度,失调率等指标,在一定程度上会影响整个系统的性能。
传统的电流比较器为了实现较大的增益以及较大的驱动能力,会采用多级增益级或者多级反相器串联结构,但是多级串联会制约比较器的精度及速度。
发明内容
有鉴于此,本发明解决的技术问题是克服现有方法的不足,提出一种结构简单,易于实现,精度高,驱动能力强的电流比较器。
为解决上述问题,本发明是通过以下技术手段实现的:
一种电流比较器,包括电流作差级、增益级和输出级,包括电流作差级、增益级和输出级,包括正相电流输入端INP、电源端VDD、正相基准电流输入端Iref+、反相基准电流输入端Iref-、反相电流输入端INN、地端GND、输出端OUT;
电流作差级,包括两对共源共栅电流镜,用于接收正相输入电流和反相输入电流,正相基准电流和反相基准电流,并输出正相输入电流与反相输入电流的作差值;
增益级,包括分压偏置电路、单级共源放大器、反相器,用于接收电流作差级输出的作差电流,并将电流信号转换为电压信号,将电压信号进行放大后输出两路反相的电压信号;
输出级,用作自偏置差分放大器,包括两互为偏置的差分结构,用于接收增益级输出的两路电压信号进行比较,并依据两电压信号的比较结果执行输出。
优选地,所述的电流作差级包括NMOS管N1~N4和PMOS管P1~P4;其中,PMOS管P1~P4构成PMOS共源共栅电流镜,NMOS管N1~N4构成NMOS共源共栅电流镜;PMOS管P1的源极与PMOS管P2的源极同时连接电源VDD端;PMOS管P1的栅极与漏极连接,并同时连接PMOS管P2的栅极、PMOS管P3的源极以及正相电流输入端INP;PMOS管P2的漏极与PMOS管P4的源极连接;PMOS管P3的栅极与漏极连接,并同时连接反相基准电流输入端Iref-和PMOS管P4的栅极;PMOS管P4的漏极连接NMOS管N4的漏极,此连接点作为电流作差级的输出;NMOS管N3的栅极与漏极连接,并同时连接正相基准电流输入端Iref+和NMOS管N4的栅极;NMOS管N4的源极与NMOS管N2的漏极连接;NMOS管N1的栅极与漏极连接,并同时连接NMOS管N3的源极、NMOS管N2的栅极以及反相电流输入端INN;NMOS管N1的源极和NMOS管N2的源极均连接地端GND。
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