[发明专利]一种智能功率模块加工方法及智能功率模块在审
| 申请号: | 201811388473.8 | 申请日: | 2018-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN109616421A | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
| 发明(设计)人: | 史哲豪;胡智裕;王琇如 | 申请(专利权)人: | 杰群电子科技(东莞)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
| 地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率模块 半成品 封装 智能功率模块 二氨基硅烷 封装树脂 引线框架 偶联剂 产品可靠度 偶联剂涂层 产品品质 分层现象 封装表面 涂层材料 粘合力 打线 附着 上芯 制备 加工 芯片 | ||
本发明公开一种智能功率模块加工方法,包括以下步骤:步骤S1、涂层材料制备,所述涂层为二氨基硅烷偶联剂;步骤S2、提供功率模块半成品,于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品;步骤S3、涂层附着,于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂;步骤S4、封装,采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。本方案中通过在功率模块半成品上增加二氨基硅烷偶联剂涂层,可以增加4‑5kgf/cm2粘合力,使得引线框架以及芯片与封装树脂之间不易发生分层现象,因此可以提高产品可靠度和产品品质。
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种智能功率模块加工方法及采用该方法加工形成的智能功率模块。
背景技术
IPM(Intelligent Power Module),即智能功率模块,不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当,也可以保证IPM自身不受损坏。IPM一般使用IGBT作为功率开关元件,内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM以其高可靠性,使用方便赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源,是变频调速,冶金机械,电力牵引,伺服驱动,变频家电的一种非常理想的电力电子器件。
现有技术中智能功率模块产品由于封装材料与引线框架之间的黏合力差,在经过可靠性试验后封装树脂与引线框架之间会发生分层现象。
发明内容
本发明实施例的目的在于:提供一种智能功率模块加工方法,其能够解决现有技术中存在的上述技术问题。
为达上述目的,本发明采用以下技术方案:
提供一种智能功率模块加工方法,包括以下步骤:
步骤S1、涂层材料制备,所述涂层为二氨基硅烷偶联剂;
步骤S2、提供功率模块半成品,于引线框架上进行上芯、打线形成待封装功率模块半成品;
步骤S3、涂层附着,于所述待封装功率模块半成品的封装表面设置所述二氨基硅烷偶联剂;
步骤S4、封装,采用封装树脂对所述待封装功率模块半成品进行封装。
作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案,所述二氨基硅烷偶联剂采用:
N-2-(氨乙基)-8-氨辛基三甲基氧基硅烷;
或,N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷;
或,N-2-(氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案,所述步骤S1中涂层材料制备包括:
步骤S11、将5份-10份的二氨基硅烷偶联剂溶于1000份的去离子水中;
步骤S12、搅拌15-45分钟。
作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案,所述步骤S2与步骤S3之间还包括:
步骤S21、清洗:对所述功率模块半成品进行电浆清洗操作。
作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案,所述步骤S3涂层附着具体为:将功率模块半成品浸润在所述二氨基硅烷偶联剂中1-5分钟。
作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案,所述步骤S3涂层附着具体为:将所述二氨基硅烷偶联剂涂布在所述功率模块半成品的封装表面。
作为所述的智能功率模块加工方法的一种优选技术方案,所述步骤S3还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





