[发明专利]具有柱结构的晶体管器件及制造晶体管器件的方法

权利要求书

1.一种晶体管器件，包括：

第一沟槽，设置在半导体区中并且包括栅极电极；

第二沟槽，设置在所述半导体区中；

台面区，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；

第一导电类型的源极区，设置在所述台面区的顶部部分中；

所述第一导电类型的外延层；

第二导电类型的体区，所述第二导电类型的体区设置在所述台面区中并且设置在所述源极区和所述第一导电类型的所述外延层之间，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及

所述第二导电类型的柱，所述柱设置在所述台面区中，使得所述源极区的第一部分设置在所述柱侧面并与所述柱接触，并且所述源极区的第二部分设置在所述柱上方并与所述柱接触，

其中所述柱的顶部表面在设置于所述栅极电极上的介电层的顶部表面上方且所述柱的底部与所述源极区的所述第一部分的底部表面对齐。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述柱沿着竖直轴线对齐，所述竖直轴线与所述源极区的所述第二部分、所述柱以及所述体区相交，

所述台面具有第一宽度，且所述柱具有第二宽度，所述第二宽度为所述第一宽度的大致一半。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述源极区包括第三部分，所述柱设置在所述源极区的所述第一部分和所述源极区的所述第二部分之间。

4.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述台面区具有沿着正交于竖直轴线的纵向轴线对齐的长度，所述竖直轴线沿着所述台面区的高度并且正交于所述台面区的宽度，

所述第二导电类型的所述柱、所述源极区的所述第一部分以及所述源极区的所述第二部分沿着所述台面区的所述长度与第一位置处的第一横截面平面相交，

所述柱沿着所述台面区的所述长度在第二位置处的第二横截面平面处与体触点接触，

所述柱竖直地设置在所述体区和所述体触点之间，

所述体触点的宽度等于所述台面区的所述宽度。

5.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述台面区具有沿着正交于竖直轴线的纵向轴线对齐的长度，所述竖直轴线沿着所述台面区的高度并且正交于所述台面区的宽度，

所述源极区的所述第一部分沿着所述台面区的所述长度是不连续的并且沿着所述台面区的所述长度在体触点处具有间断，

所述源极区的所述第二部分在所述体触点处的所述源极区的所述第一部分的所述间断下方沿着所述台面区的长度是连续的。

6.根据权利要求1所述的晶体管器件，还包括：

源极导体，所述源极导体与所述源极区接触并且限定欧姆接触；

漏极导体；以及

衬底，所述衬底与所述外延层接触并且设置在所述源极导体和所述漏极导体之间。

7.根据权利要求1所述的晶体管器件，其中所述台面区具有设置在所述电极的顶部表面上方的顶部表面，所述电极设置在所述第一沟槽中。

8.一种晶体管器件，包括：

第一沟槽，设置在半导体区中并且包括栅极电极；

第二沟槽，设置在所述半导体区中；

台面区，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；

第一导电类型的源极区，设置在所述台面区的顶部部分中；以及

所述第一导电类型的外延层，

所述台面区包括在沿着所述台面区的第一横截面处的第二导电类型的第一区以及在沿着所述台面区的第二横截面处的所述第二导电类型的第二区，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型，

所述第二导电类型的所述第一区具有与所述第二导电类型的所述第二区不同的形状，

所述第二导电类型的所述第一区和所述第二导电类型的所述第二区两者具有柱部分以及在所述柱部分下方的体区，所述柱部分具有高于所述体区掺杂浓度的掺杂浓度，

所述第二导电类型的所述第一区包括设置在所述柱部分上方的所述第二导电类型的体触点，所述体触点具有高于所述柱部分掺杂浓度的掺杂浓度。